En un transistor PNP, los agujeros se mueven físicamente dentro del material semiconductor. Un transistor PNP consta de tres capas semiconductoras: una capa de semiconductor tipo p (con huecos cargados positivamente como portadores mayoritarios) intercalada entre dos capas de semiconductor tipo n (con electrones cargados negativamente como portadores mayoritarios). Cuando una pequeña corriente fluye hacia la base del transistor, permite que los agujeros se muevan desde la base hasta la región del emisor. Este movimiento de huecos constituye el flujo de corriente a través del transistor, fundamental para su funcionamiento como dispositivo amplificador en circuitos electrónicos.
En el contexto del efecto Hall, que se utiliza para medir la presencia y características de los portadores de carga en un material, tanto los electrones como los huecos pueden contribuir al voltaje medido a través de un conductor colocado en un campo magnético. Cuando una corriente fluye a través del conductor, se aplica un campo magnético perpendicular a la corriente. Los electrones que se mueven a través del conductor experimentan una fuerza de Lorentz que crea un voltaje medible perpendicular tanto a la corriente como al campo magnético. Del mismo modo, los agujeros, que son portadores de carga móviles en un semiconductor, también pueden contribuir a la tensión Hall medida bajo la influencia de un campo magnético.
Los agujeros de los electrones, a menudo denominados simplemente «agujeros», son espacios vacantes en la banda de valencia de un semiconductor, donde normalmente estaría un electrón. Estos agujeros pueden moverse a través de la red cristalina del material semiconductor de forma análoga a las cargas positivas. Los agujeros se crean cuando los electrones se excitan desde la banda de valencia a la banda de conducción, dejando atrás un estado de energía vacío. En los semiconductores, los huecos actúan como portadores de carga móviles que pueden contribuir a la conductividad eléctrica y al flujo de corriente, particularmente en materiales semiconductores de tipo p donde los huecos son los portadores mayoritarios.
En un transistor PNP, los agujeros desempeñan un papel fundamental en el funcionamiento del dispositivo. El transistor consta de un semiconductor de tipo p (base) intercalado entre dos semiconductores de tipo n (emisor y colector). El movimiento de los orificios desde la base a la región del emisor, facilitado por una pequeña corriente de base, controla el flujo de corrientes más grandes desde el colector al emisor. Este mecanismo permite que el transistor amplifique señales y realice funciones de conmutación esenciales para aplicaciones electrónicas.
En una unión PN, que se forma entre un semiconductor tipo p y un semiconductor tipo n, los agujeros se mueven a través de la unión. En una unión PN con polarización directa, cuando se aplica un voltaje tal que el lado p es positivo con respecto al lado n, se inyectan huecos del lado p y electrones del lado n en la región de agotamiento en el unión. Este movimiento de los portadores de carga da como resultado un flujo de corriente a través del cruce, lo que permite que el cruce PN conduzca electricidad. En una unión PN con polarización inversa, el movimiento de los orificios está limitado debido al ensanchamiento de la región de agotamiento, lo que impide un flujo de corriente significativo hasta que se alcanza el voltaje de ruptura.