Bir PNP transistöründe delikler yarı iletken malzeme içinde fiziksel olarak hareket eder. Bir PNP transistörü üç yarı iletken katmandan oluşur: iki n-tipi yarı iletken katmanı (çoğunluk taşıyıcıları olarak negatif yüklü elektronlarla) arasına sıkıştırılmış bir p-tipi yarı iletken katmanı (çoğunluk taşıyıcıları olarak pozitif yüklü deliklere sahiptir). Transistörün tabanına küçük bir akım aktığında deliklerin tabandan emitör bölgesine doğru hareket etmesine izin verir. Deliklerin bu hareketi, elektronik devrelerde bir amplifikasyon cihazı olarak çalışması için gerekli olan transistörün içinden geçen akımın akışını oluşturur.
Bir malzemedeki yük taşıyıcılarının varlığını ve özelliklerini ölçmek için kullanılan Hall Etkisi bağlamında, hem elektronlar hem de delikler, manyetik alana yerleştirilen bir iletken boyunca ölçülen gerilime katkıda bulunabilir. İletkenden bir akım geçtiğinde, akıma dik bir manyetik alan uygulanır. İletken boyunca hareket eden elektronlar, hem akıma hem de manyetik alana dik ölçülebilir bir voltaj oluşturan bir Lorentz kuvvetine maruz kalır. Benzer şekilde yarı iletkende hareketli yük taşıyıcıları olan delikler de manyetik alanın etkisi altında ölçülen Hall voltajına katkıda bulunabilir.
Genellikle basitçe “delikler” olarak adlandırılan elektron delikleri, bir yarı iletkenin değerlik bandında normalde bir elektronun bulunacağı boşluklardır. Bu delikler, yarı iletken malzemenin kristal kafesi boyunca pozitif yüklere benzer bir şekilde hareket edebilir. Delikler, elektronların valans bandından iletim bandına uyarılmasıyla oluşur ve geride doldurulmamış bir enerji durumu kalır. Yarı iletkenlerde delikler, özellikle deliklerin çoğunluk taşıyıcı olduğu p-tipi yarı iletken malzemelerde, elektrik iletkenliğine ve akım akışına katkıda bulunabilen hareketli yük taşıyıcıları olarak işlev görür.
Bir PNP transistöründe delikler cihazın çalışmasında kritik bir rol oynar. Transistör, iki n-tipi yarı iletken (yayıcı ve toplayıcı) arasına sıkıştırılmış bir p-tipi yarı iletkenden (taban) oluşur. Küçük bir taban akımıyla kolaylaştırılan deliklerin tabandan emitör bölgesine hareketi, daha büyük akımların kolektörden emitöre akışını kontrol eder. Bu mekanizma, transistörün sinyalleri yükseltmesine ve elektronik uygulamalar için gerekli anahtarlama işlevlerini gerçekleştirmesine olanak tanır.
P-tipi bir yarı iletken ile n-tipi bir yarı iletken arasında oluşturulan bir PN bağlantı noktasında delikler bağlantı boyunca hareket eder. İleriye dönük bir PN bağlantısında, p tarafı n tarafına göre pozitif olacak şekilde bir voltaj uygulandığında, p tarafından delikler ve n tarafından elektronlar tükenme bölgesine enjekte edilir. Kavşak noktası. Yük taşıyıcılarının bu hareketi, bağlantı noktası boyunca akım akışıyla sonuçlanır ve PN bağlantısının elektriği iletmesini sağlar. Ters taraflı bir PN bağlantısında, tükenme bölgesinin genişlemesi nedeniyle deliklerin hareketi sınırlıdır, bu da arıza voltajına ulaşılana kadar önemli akım akışını engeller.