Un FET (transistor de efecto de campo) es un tipo de transistor que funciona en función del voltaje aplicado a un terminal de puerta, que controla la conductividad entre sus terminales de fuente y drenaje. Los FET son conocidos por su alta impedancia de entrada, lo que los hace adecuados para aplicaciones donde es esencial controlar la corriente con un voltaje de entrada mínimo. Vienen en dos tipos principales: MOSFET (FET de semiconductores de óxido de metal) y JFET (FET de unión), cada uno con diferentes estructuras y características.
Los transistores FET se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, principalmente para tareas de conmutación y amplificación. Se emplean comúnmente en circuitos electrónicos donde se requiere conmutación de alta velocidad, bajo consumo de energía y mínima generación de calor. En los circuitos digitales, los MOSFET se utilizan como interruptores para controlar el flujo de corriente en función del voltaje aplicado al terminal de la puerta. En los circuitos analógicos, los FET se utilizan por su alta impedancia de entrada y características de bajo ruido en amplificadores y circuitos de procesamiento de señales.
Los transistores de efecto de campo (FET) funcionan variando la conductividad entre sus terminales de fuente y drenaje en función del voltaje aplicado al terminal de puerta. En los MOSFET, un voltaje en el terminal de la puerta crea un campo eléctrico que controla el flujo de portadores de carga (electrones o huecos) entre la fuente y el drenaje. En los JFET, el voltaje de la puerta controla el ancho de la región de agotamiento cerca de la unión, modulando así el flujo de corriente a través del dispositivo. Esta operación controlada por voltaje distingue a los FET de los BJT (transistores de unión bipolares), que son dispositivos controlados por corriente.
BJT (transistor de unión bipolar) y FET (transistor de efecto de campo) son dos tipos principales de transistores utilizados en circuitos electrónicos. Los BJT son dispositivos controlados por corriente que dependen del flujo de portadores de electrones y huecos entre sus terminales emisor, base y colector. Normalmente se utilizan en aplicaciones que requieren amplificación o conmutación de corriente. Los FET, por otro lado, son dispositivos controlados por voltaje que utilizan un campo eléctrico para modular el flujo de portadores de carga entre sus terminales de fuente y drenaje. Los FET se prefieren en aplicaciones donde son fundamentales una alta impedancia de entrada, un consumo mínimo de energía y velocidades de conmutación rápidas.
Usar un FET en lugar de un BJT ofrece varias ventajas según la aplicación. Los FET generalmente tienen una impedancia de entrada más alta, lo que significa que extraen menos corriente del circuito impulsor y exhiben efectos de carga mínimos. Esta característica hace que los FET sean adecuados para aplicaciones que requieren alta sensibilidad de entrada y bajo ruido, como en amplificadores y circuitos de procesamiento de señales. Los FET también tienden a conmutar más rápido que los BJT y pueden operar a frecuencias más altas, lo que los hace ideales para aplicaciones de conmutación digital y circuitos de alta frecuencia. Además, los FET tienen una estructura más simple y son menos propensos a sufrir fugas térmicas en comparación con los BJT, lo que contribuye a su confiabilidad en varios diseños electrónicos.
