Le FET est basé sur le concept selon lequel charger un objet proche peut attirer des charges dans un canal semi-conducteur.
Le FET est constitué d’un canal semi-conducteur avec des électrodes à chaque extrémité appelées fuite et source. Une électrode de commande appelée grille est placée à proximité immédiate du canal afin que sa charge électrique puisse affecter le canal.
De cette manière, la porte FET contrôle le flux de porteurs (électrons ou trous) circulant de la source vers le drain. Cela se fait en contrôlant la taille et la forme du canal conducteur.
Le canal semi-conducteur dans lequel le courant circule peut être de type P ou N. Cela donne naissance à deux types ou catégories de FET appelés FET à canal P et FET à canal N.
Le champ électrique pour le contrôle du courant est appliqué à une troisième électrode appelée grille. Étant donné que seul le champ électrique contrôle le courant circulant dans le canal, on dit que le dispositif est alimenté en tension et possède une impédance d’entrée importante, généralement de plusieurs mégohms. Cela peut constituer un avantage distinct par rapport au transistor bipolaire actuellement utilisé et présente une impédance d’entrée beaucoup plus faible.
Le champ extérieur sur la porte peut servir à épuiser le canal de transport, auquel cas le FET est connu sous le nom de mode d’épuisement du FET ou peut servir à améliorer les supports dans le canal lorsqu’il est connu sous le nom de mode d’amélioration du FET.
Circuits FET
L’efficacité des transistors à effet de champ est largement utilisée dans tous les types de circuits, depuis ceux utilisés dans les circuits discrets jusqu’à ceux utilisés dans les circuits intégrés.
Effets de type transistor
Il existe plusieurs façons de définir les différents types de FET disponibles. Ceux-ci peuvent être classés de plusieurs manières, mais certains des principaux types de FET peuvent être couverts dans l’arborescence ci-dessous.
Il existe de nombreux types de FET sur le marché, pour lesquels il existe de nombreux noms. Certaines des principales catégories sont présentées ci-dessous.
Jonction FET (JFET) : Comme son nom l’indique, cette forme de FET utilise une jonction de diode inverse polarisée pour assurer l’isolation du canal. Il s’agit du type de FET le plus basique et celui qui a été développé pour la première fois. Cependant, il rend toujours d’excellents services dans de nombreux domaines de l’électronique. En savoir plus sur le FET de jonction
FET isolé FET / FET MOSFET de silicium à oxydes métalliques : Ce type de FET utilise une isolation ultérieure entre la grille et le canal. Il est généralement formé d’une couche d’oxyde semi-conducteur. Le type d’IGFET le plus courant. MOSFET – Oxyde de silicium métallique FET. Ici, la grille est constituée d’une couche de métal sur de l’oxyde de silicium qui se trouve à son tour sur le canal de silicium. En savoir plus sur les MOSFET
MOSFET à double porte : il s’agit d’une forme spécialisée de MOSFET qui comporte deux portes en série le long du canal. Cela permet des améliorations considérables des performances, en particulier en RF, par rapport aux dispositifs à porte unique. En savoir plus sur MOSFET Gate Dual
MESFET : Les métaux Siltal FET sont normalement fabriqués à partir d’arséniure de gallium et sont souvent appelés GaAs FET. Il offre de très hautes performances, mais compte tenu de la structure du portail, il est très sensible aux ESD. En savoir plus sur MESFET/GaAsFET
HEMT / PHEMT : le transducteur à haute mobilité électronique et le transistor pseudomorphique à électrons à haute vitesse sont des développements du concept de base du FET mais développés pour permettre un fonctionnement à très haute fréquence. En savoir plus sur HEMT/PHEMT
FinFET : la technologie FinFET est désormais utilisée dans les circuits intégrés pour permettre des niveaux d’intégration plus élevés en autorisant des dimensions de fonctionnalités plus petites. En savoir plus sur FinFET
VMOS : Norme MOS verticale VMOS. Il s’agit d’un type de FET qui utilise un flux de courant vertical pour améliorer les performances de commutation et de transport du courant. Les FET VMOS sont largement utilisés pour les applications de puissance.
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