O FET é baseado no conceito de que carregar um objeto próximo pode atrair cargas dentro de um canal semicondutor.
O FET é composto por um canal semicondutor com eletrodos em cada extremidade denominados vazamento e fonte. Um eletrodo de controle chamado portão é colocado nas imediações do canal para que sua carga elétrica possa afetar o canal.
Desta forma, a porta FET controla o fluxo de portadores (elétrons ou buracos) que fluem da fonte para o dreno. Isto é feito controlando o tamanho e a forma do canal condutor.
O canal semicondutor no qual ocorre o fluxo de corrente pode ser do tipo P ou N. Isto dá origem a dois tipos ou categorias de FET conhecidos como P-Channel e N-Channel FET.
O campo elétrico para controle de corrente é aplicado a um terceiro eletrodo conhecido como porta. Como apenas o campo elétrico controla a corrente que flui no canal, diz-se que o dispositivo é acionado por tensão e possui uma grande impedância de entrada, geralmente muitos megohms. Esta pode ser uma vantagem distinta sobre o transistor bipolar atualmente em funcionamento e tem uma impedância de entrada muito mais baixa.
O campo externo na porta pode servir para esgotar o canal transportador, caso em que o FET é conhecido como modo de exaustão de FET ou pode servir para melhorar os portadores no canal quando conhecido como modo de aprimoramento de FET.
Circuitos FET
A eficiência dos transistores de efeito de campo é amplamente utilizada em todos os tipos de circuitos, desde aqueles usados em circuitos discretos até aqueles usados em circuitos integrados.
Efeitos do tipo transistor
Existem várias maneiras de definir os diferentes tipos de FETs disponíveis. Eles podem ser classificados de várias maneiras, mas alguns dos principais tipos de FET podem ser abordados no esquema em árvore abaixo.
Existem muitos tipos diferentes de FETs no mercado para os quais existem muitos nomes. Algumas das categorias principais estão atrasadas abaixo.
FET de junção (JFET): Como o nome sugere, esta forma de FET usa uma junção de diodo reversa polarizada para fornecer isolamento do canal. Este é o tipo mais básico de FET e o que foi desenvolvido pela primeira vez. No entanto, ainda oferece excelentes serviços em muitas áreas da eletrônica. Leia mais sobre Junção FET
FET isolado com FET / óxidos metálicos Silício FET MOSFET: Este tipo de FET usa um isolamento posterior entre a porta e o canal. Geralmente é formado por uma camada de óxido semicondutor. O tipo mais comum de IGFET. MOSFET – FET de óxido de silício metálico. Aqui, a porta é feita de uma camada de metal sobre óxido de silício que, por sua vez, fica no canal de silício. Leia mais sobre MOSFET
Mosfet de porta dupla: esta é uma forma especializada de MOSFET que possui duas portas em série ao longo do canal. Isto permite melhorias consideráveis de desempenho, especialmente em RF, em comparação com dispositivos de porta única. Leia mais sobre MOSFET Gate Dual
MESFET: Siltal FET Os metais são normalmente fabricados com arsenieto de gálio e são frequentemente chamados de GaAs FET. Oferece um desempenho muito elevado, mas dada a estrutura do portão, é muito sensível a ESD. Leia mais sobre MESFET / GaAsFET
HEMT / PHEMT: o transdutor de alta mobilidade de elétrons e o transistor de alta velocidade de elétrons pseudomórficos são desenvolvimentos no conceito básico de FET, mas desenvolvidos para permitir operação em frequências muito altas. Leia mais sobre HEMT/PHEMT
FinFET: a tecnologia FinFET agora é usada em circuitos integrados para permitir níveis mais elevados de integração, permitindo dimensões menores de recursos. Leia mais sobre FinFET
VMOS: padrão MOS VMOS vertical. É um tipo de FET que utiliza um fluxo de corrente vertical para melhorar o desempenho de comutação e transporte da corrente. FETs VMOS são amplamente utilizados para aplicações de energia.
