Los JFET (transistores de efecto de campo de unión) están diseñados para funcionar en modo de polarización inversa para un rendimiento óptimo. En un JFET, el canal entre la fuente y el drenaje está controlado por el voltaje aplicado al terminal de la puerta en relación con el terminal de la fuente. Cuando se aplica un voltaje negativo (polarización inversa) a la compuerta con respecto a la fuente, se crea un campo eléctrico que agota el canal de portadores de carga (electrones o huecos), reduciendo la conductividad entre la fuente y el drenaje. Esta polarización inversa permite un control preciso sobre el flujo de corriente a través del JFET, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren resistencia variable o amplificación controlada por voltaje.
El colector de un transistor, especialmente en los transistores de unión bipolar (BJT), suele tener polarización inversa para garantizar el funcionamiento adecuado del transistor en su región activa. En un BJT, la unión colector-base tiene polarización inversa para evitar un flujo excesivo de corriente desde el colector a la base y para mantener el transistor en su modo activo, donde puede amplificar la corriente o actuar como un interruptor. La polarización inversa del colector también ayuda a reducir la corriente de fuga y a mejorar la estabilidad y confiabilidad general del transistor.
Los JFET normalmente no funcionan en modo de polarización directa porque su estructura y funcionamiento están optimizados para condiciones de polarización inversa. En polarización directa, la unión puerta-fuente de un JFET conduciría corriente, cortando efectivamente el mecanismo de control del transistor. Esto evitaría que el JFET module adecuadamente el flujo de corriente entre la fuente y el drenaje, negando su función prevista como resistencia o amplificador controlado por voltaje.
La polarización inversa en los transistores, incluidos los JFET y BJT, es esencial para controlar su funcionamiento y garantizar que funcionen correctamente dentro de los circuitos electrónicos. La polarización inversa altera la barrera de potencial en las uniones (puerta-fuente en JFET o base-emisor en BJT), afectando el flujo de portadores de carga (electrones o huecos) y regulando así la conductividad o las capacidades de amplificación del transistor. Al aplicar un voltaje de polarización inversa, los diseñadores pueden controlar con precisión el comportamiento del transistor, asegurando que funcione dentro de los parámetros especificados y cumpla con los requisitos del diseño del circuito, ya sea para amplificación, conmutación u otras aplicaciones.
