Los JFET son dispositivos semiconductores de tres terminales que se pueden utilizar como interruptores, amplificadores o resistencias controladas eléctricamente. El transistor de efecto de campo de puerta de unión (JFET o JUGFET) es el tipo más simple de transistor de efecto de campo.
A diferencia de los transistores bipolares, los JFET solo funcionan con corriente porque no necesitan una corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje. Aplicando una tensión de polarización inversa a un terminal de puerta, el canal queda «pellizcado», de modo que se impide o se desconecta completamente la corriente eléctrica.
Un JFET generalmente se enciende cuando no hay diferencia de potencial entre sus terminales de puerta y fuente. Si se aplica una diferencia de potencial en la polaridad correcta entre sus terminales de puerta y fuente, el JFET será más resistente a la corriente, lo que significa que fluirá menos corriente hacia el canal entre los terminales de fuente y drenaje. Por lo tanto, los JFET a veces se denominan dispositivos obsoletos.
Los JFET pueden tener un canal de tipo n o p. En el tipo n, si el voltaje aplicado a la puerta es menor que el aplicado a la fuente, la corriente se reducirá (de manera similar al tipo p, si el voltaje aplicado a la puerta es mayor que el aplicado a la fuente). Un JFET tiene una impedancia de entrada grande (a veces de 1010 ohmios), lo que significa que tiene un efecto insignificante en los componentes o circuitos externos conectados a su puerto.
El transistor de efecto de campo de unión
Anteriormente hemos visto que un transistor de unión bipolar se construye utilizando dos uniones PN en la ruta principal de transporte de corriente entre los terminales del emisor y del colector. El transistor de efecto de campo de unión (JUGFET o JFET) no tiene uniones PN pero tiene una pieza estrecha de material semiconductor de alta resistividad que forma un «canal» tipo N o P para deslizar los portadores principales con dos conexiones eléctricas óhmicas en cada extremo llamadas drenaje y Fuente respectivamente.
Hay dos configuraciones básicas de transistor de efecto de campo de unión, JFET al canal N y JFET al canal P. El canal JFET N está dopado con impurezas del donante, lo que indica que el flujo de corriente a través del canal es negativo (de aquí el término canal N) en la forma de los electrones.
Del mismo modo, el canal JFET P está dopado con impurezas del transductor, lo que significa que el flujo de corriente a través del canal es positivo (de ahí el término de canal P) en forma de agujeros. Los JFET de canal N tienen una mayor conductividad de canal (menor resistencia) que sus tipos de canal de tipo P, ya que los electrones tienen mayor movilidad a través de un conductor que los huecos. Esto hace que el JFET del canal N sea un conductor más eficiente que sus homólogos del canal P.
Anteriormente hemos dicho que existen dos conexiones eléctricas óhmicas en cada extremo del canal llamadas Drenaje y Fuente. Pero dentro de este canal hay una tercera conexión eléctrica llamada terminal de compuerta y esta también puede ser un material tipo P o tipo N que forma una unión PN con el canal principal.
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