JFET’ler (Kavşak Alan Etkili Transistörler), optimum performans için ters taraflı modda çalışacak şekilde tasarlanmıştır. Bir JFET’te kaynak ve drenaj arasındaki kanal, kaynak terminaline göre kapı terminaline uygulanan voltaj tarafından kontrol edilir. Kaynağa göre kapıya negatif bir voltaj (ters öngerilim) uygulandığında, yük taşıyıcılarının (elektronlar veya delikler) kanalını tüketen bir elektrik alanı oluşturur ve kaynak ile drenaj arasındaki iletkenliği azaltır. Bu ters öngerilim, JFET’ten geçen akım akışı üzerinde hassas kontrole izin vererek onu değişken direnç veya voltaj kontrollü amplifikasyon gerektiren uygulamalar için uygun hale getirir.
Bir transistörün toplayıcısı, özellikle Bipolar Kavşak Transistörlerinde (BJT’ler), transistörün aktif bölgesinde düzgün çalışmasını sağlamak için tipik olarak ters yönde öngerilimlidir. Bir BJT’de, kolektör-taban bağlantısı, kolektörden tabana aşırı akım akışını önlemek ve transistörü, akımı yükseltebileceği veya bir anahtar görevi görebileceği aktif modunda tutmak için ters yönde öngerilimlidir. Kolektörün ters polarlanması aynı zamanda kaçak akımın azaltılmasına ve transistörün genel stabilitesinin ve güvenilirliğinin arttırılmasına da yardımcı olur.
JFET’ler tipik olarak ileri eğilim modunda çalışmazlar çünkü yapıları ve çalışmaları ters eğilim koşulları için optimize edilmiştir. İleriye dönük önyargıda, bir JFET’in kapı-kaynak bağlantısı akımı iletecek ve transistörün kontrol mekanizmasını etkili bir şekilde kısa devre yapacaktır. Bu, JFET’in kaynak ve drenaj arasındaki akım akışını uygun şekilde modüle etmesini önleyerek voltaj kontrollü bir direnç veya amplifikatör olarak amaçlanan işlevini boşa çıkaracaktır.
JFET’ler ve BJT’ler de dahil olmak üzere transistörlerdeki ters polarizasyon, bunların çalışmasını kontrol etmek ve elektronik devrelerde doğru şekilde çalışmasını sağlamak için gereklidir. Ters polarizasyon, bağlantı noktalarındaki potansiyel bariyeri (JFET’lerde kapı kaynağı veya BJT’lerde baz verici) değiştirerek yük taşıyıcılarının (elektronlar veya delikler) akışını etkiler ve böylece transistörün iletkenliğini veya amplifikasyon yeteneklerini düzenler. Tasarımcılar, ters öngerilim voltajı uygulayarak transistörün davranışını hassas bir şekilde kontrol edebilir, bunun belirli parametreler dahilinde çalışmasını ve amplifikasyon, anahtarlama veya diğer uygulamalar için devre tasarımının gereksinimlerini karşılamasını sağlayabilir.