Diferencia entre bjt y fet
La principal diferencia entre BJT y FET es que BJT es un dispositivo controlado por corriente y FET es un dispositivo de control de voltaje. Están desarrollados a partir de diferentes materiales semiconductores, principalmente tipo P y tipo N. Estos transistores se utilizan en el diseño de amplificadores, interruptores y osciladores, etc.
BJT – Transistor de unión bipolar
BJT es el transistor de unión bipolar. BJT es el dispositivo controlado actual.
Como se muestra en la figura, existen tipos de transistores BJT P-N-P y N-P-N. Los símbolos de estos transistores también se describen en la figura. Hay tres terminales en un dispositivo BJT. Transmisor, base y colector.
- Transconductancia gm = ε vs W/d
- Frecuencia de corte fT = gm/(2pCgs)
Características de BJT:
- La impedancia de entrada es pequeña y la impedancia de salida es alta.
- Dispositivo de ruido debido a la presencia de operadores minoritarios.
- Es un dispositivo bipolar ya que la corriente fluye debido a los principales operadores y minorías.
- La estabilidad térmica es menor debido a la corriente de fuga o la corriente de saturación inversa.
- El dopaje en el transmisor es el más alto y el más bajo es el más bajo.
- La superficie del colector es la más alta y la inferior es la más pequeña.
FET – Transistor de efecto de campo
FET es el transistor con efectos de campo. FET es el dispositivo de voltaje controlado.
La figura describe los símbolos FET para el canal P y el tipo de canal N. Hay tres terminales en un dispositivo FET. fuente, drenaje y compuerta. La fuente es la terminal a través de la cual los transportistas ingresan al canal. Drenaje es la terminal por la que los transportistas salen del canal. La puerta es el terminal que modula la conductividad del canal aplicando voltaje a este terminal.
FET se llama transistor unipolar. En FET, el voltaje de entrada se controla con la corriente de salida; aquí la corriente de entrada suele ser insignificante. Este es el gran mérito de FET cuando la entrada no puede suministrar mucha corriente.
- Transconductancia- gm = q Ie/kBT
- Frecuencia de corte: fT = 2Dn/WB2
Características de FET
- Es un dispositivo de entrada de alta impedancia de aproximadamente 100 MOhm y más.
- FET no tiene voltaje de compensación cuando se usa como interruptor a diferencia de BJT.
- FET es relativamente inmune a la radiación, pero BJT es muy sensible.
- Es un importante medio de transporte.
- FET es menos ruidoso que BJT. Es más adecuado para etapas de entrada de amplificadores de bajo nivel.
- FET ofrece una mayor estabilidad térmica en comparación con BJT.
- FET es un dispositivo unipolar.
Principales inconvenientes de FET:
- FET tiene un producto de ancho de banda relativamente bajo en comparación con BJT.
- FET sufre de una mayor sensibilidad al daño y por lo tanto requiere un manejo cuidadoso.
La tabla superior menciona la diferencia entre los tipos BJT (transistor bipolar) y transistor de efecto de campo (FET).
Diferencia entre bjt y fet en forma tabular
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