La raison de JFET est toujours un biais inverse
En raison de la « région d’épuisement », la réduction de la surface augmente la résistance de la source de drain et réduit le flux de courant. Le JFET est donc toujours polarisé en inverse.
Ce biais conduit à la formation d’une couche d’appauvrissement au sein du canal et dont la largeur augmente avec le biais.
L’amplitude du courant circulant dans le canal entre les bornes de drain et la source est contrôlée par une tension appliquée à la borne Gate, qui est inversée.
Biais Jfet
Il existe trois types de polarisation : la polarisation propre, la polarisation du diviseur de tension et la polarisation de la source de courant.
Le JFET fonctionne avec une jonction pn polarisée en inverse avec une résistance d’entrée élevée en raison de la jonction grille-source à polarisation inverse.
« région d’épuisement » pour se former autour de la jonction PN du JFET. Étant donné que cette région comporte un petit nombre de porteurs de courant, l’effet de polarité inverse consiste à réduire la surface de section efficace du canal .
L’application d’une tension négative suffisamment importante à la grille entraînera une région de drain si grande que la conduction du courant à travers la barre s’arrêtera complètement.
La tension nécessaire pour réduire le courant de drain (ID) à zéro est appelée tension de pincement et est comparable à la tension de coupure dans un tube à vide.
Sur la figure, le 1 volt négatif appliqué, bien que pas assez important pour arrêter complètement la conduction, a provoqué une diminution marquée du courant de drain (de 10 milliampères à des conditions de polarisation de grille nulle à 5 milliampères).
Le calcul montre que la polarisation de grille de 1 volt augmente également la résistance JFET (de 500 ohms à 1 kilohm).
En d’autres termes, une variation de 1 volt de la tension de grille double la résistance du dispositif et réduit de moitié le flux de courant.
Ces mesures montrent cependant seulement qu’un JFET fonctionne d’une manière similaire à un transistor bipolaire, même si les deux sont construits différemment.
Comme indiqué ci-dessus, le principal avantage d’un FET est que son impédance d’entrée est nettement supérieure à celle d’un transistor bipolaire.
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