Dans un transistor PNP, les trous se déplacent physiquement dans le matériau semi-conducteur. Un transistor PNP se compose de trois couches semi-conductrices : une couche de semi-conducteur de type P (avec des trous chargés positivement comme porteurs majoritaires) prise en sandwich entre deux couches de semi-conducteur de type N (avec des électrons chargés négativement comme porteurs majoritaires). Lorsqu’un faible courant circule dans la base du transistor, il permet aux trous de se déplacer de la base vers la région émettrice. Ce mouvement des trous constitue le flux de courant à travers le transistor, essentiel à son fonctionnement comme dispositif d’amplification dans les circuits électroniques.
Dans le contexte de l’effet Hall, utilisé pour mesurer la présence et les caractéristiques des porteurs de charge dans un matériau, les électrons et les trous peuvent contribuer à la tension mesurée aux bornes d’un conducteur placé dans un champ magnétique. Lorsqu’un courant traverse le conducteur, un champ magnétique perpendiculaire au courant est appliqué. Les électrons se déplaçant à travers le conducteur subissent une force de Lorentz qui crée une tension mesurable perpendiculaire à la fois au courant et au champ magnétique. De même, les trous, porteurs de charge mobiles dans un semi-conducteur, peuvent également contribuer à la tension Hall mesurée sous l’influence d’un champ magnétique.
Les trous électroniques, souvent appelés simplement « trous », sont des lacunes dans la bande de valence d’un semi-conducteur où se trouverait normalement un électron. Ces trous peuvent se déplacer à travers le réseau cristallin du matériau semi-conducteur d’une manière analogue aux charges positives. Des trous sont créés lorsque les électrons sont excités de la bande de valence vers la bande de conduction, laissant derrière eux un état énergétique vide. Dans les semi-conducteurs, les trous agissent comme des porteurs de charge mobiles qui peuvent contribuer à la conductivité électrique et au flux de courant, en particulier dans les matériaux semi-conducteurs de type P où les trous sont les porteurs majoritaires.
Dans un transistor PNP, les trous jouent un rôle essentiel dans le fonctionnement du dispositif. Le transistor est constitué d’un semi-conducteur de type P (base) pris en sandwich entre deux semi-conducteurs de type N (émetteur et collecteur). Le mouvement des trous de la base vers la région de l’émetteur, facilité par un faible courant de base, contrôle le flux de courants plus importants du collecteur vers l’émetteur. Ce mécanisme permet au transistor d’amplifier les signaux et d’effectuer des fonctions de commutation essentielles aux applications électroniques.
Dans une jonction PN, formée entre un semi-conducteur de type p et un semi-conducteur de type n, des trous se déplacent à travers la jonction. Dans une jonction PN polarisée en direct, lorsqu’une tension est appliquée de telle sorte que le côté p soit positif par rapport au côté n, les trous du côté p et les électrons du côté n sont injectés dans la région d’appauvrissement au niveau du côté n. jonction. Ce mouvement des porteurs de charge entraîne un flux de courant à travers la jonction, permettant à la jonction PN de conduire l’électricité. Dans une jonction PN polarisée en inverse, le mouvement des trous est limité en raison de l’élargissement de la région d’appauvrissement, ce qui empêche un flux de courant important jusqu’à ce que la tension de claquage soit atteinte.