Der Hauptunterschied zwischen einem JFET (Junction Field-Effect Transistor) und einem MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) liegt in ihrem Aufbau und ihren Funktionsprinzipien.
JFETs bestehen typischerweise aus einem einzigen Stück Halbleitermaterial und bilden einen Kanal zwischen zwei Anschlüssen (Source und Drain), wobei ein dritter Anschluss (Gate) die Breite dieses Kanals durch eine angelegte Spannung steuert. Sie arbeiten im Verarmungsmodus, was bedeutet, dass der Kanal normalerweise leitet, wenn keine Spannung an das Gate angelegt wird.
Andererseits verfügen MOSFETs über ein Gate, das durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist (daher der Name Metall-Oxid-Halbleiter). Abhängig von ihrem Design können sie im Anreicherungsmodus (normalerweise ausgeschaltet ohne Gate-Spannung) oder im Verarmungsmodus (normalerweise eingeschaltet ohne Gate-Spannung) betrieben werden. Die Gate-Spannung steuert die Leitfähigkeit des Kanals zwischen Source und Drain.
In Bezug auf die Geschwindigkeit bieten MOSFETs aufgrund ihrer isolierten Gate-Struktur im Allgemeinen schnellere Schaltgeschwindigkeiten im Vergleich zu JFETs, was ein schnelleres Laden/Entladen der Gate-Kapazität ermöglicht.
Der Begriff „FET“ ist ein weit gefasster Begriff, der sowohl JFETs als auch MOSFETs umfasst. Obwohl alle MOSFETs FETs sind, sind daher nicht alle FETs MOSFETs. JFETs und MOSFETs unterscheiden sich erheblich in ihrer Konstruktion, ihren Eigenschaften und Betriebsmodi und erfüllen trotz ihrer gemeinsamen Klassifizierung als Feldeffekttransistoren unterschiedliche Schaltungsanforderungen und Anwendungen.