Quelle est la différence entre JFET et MOSFET ?

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Différence entre jfet et mosfet

Comprenons la différence entre JFET et MOSFET. La principale différence est le contrôle du courant et le contrôle de la tension dans le circuit.

Vous devez d’abord savoir à quoi servent les transistors à effet de champ (FET) et à quoi servent les transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique (MOSFET).

Transistor à effet de champ (FET) :

  • Le transistor à effet de champ (FET) est un dispositif semi-conducteur à trois bornes qui présente de nombreuses similitudes et différences avec le transistor à jonction bidirectionnelle (BJT).
  • La principale différence entre BJT et FET est que BJT est un dispositif de contrôle de courant, tandis que FET est un dispositif de tension contrôlée.
  • Le transistor à effet de champ est un dispositif dans lequel le courant traversant la région conductrice est contrôlé par un champ électrique. C’est ce qu’on appelle un transistor à effet de champ (FET).
  • Le pipeline actuel dans l’appareil provient uniquement des opérateurs majoritaires. Il est donc également connu sous le nom d’appareil unipolaire.
  • FET peut être classé en deux types en fonction de sa construction. Ce sont
  • Transistor à effet de champ à jonction (JFET)
    Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET)
  • JFET a été classé en deux types, à savoir
    N – Canal JFET (les électrons sont les principaux porteurs)
    P – Canal JFET (les trous sont les porteurs majoritaires)

Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET)

Les transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique (MOSFET) constituent la famille des transistors unipolaires. Une caractéristique distinctive du MOSFET est la construction de la porte. Le portail est complètement isolé du canal. La tension appliquée au portail provoquera une charge électrostatique. Il n’est pas permis de faire passer du courant dans la zone de grille de l’appareil. La porte est simplement une zone du dispositif recouverte de métal.

Les autres noms du MOSFET sont le transistor à effet de champ à grille isolée (IGFET), le transistor au silicium à oxyde métallique (MOST). Les MOSFET sont classés en deux types, à savoir

  • MOSFET en mode d’épuisement
  • MOSFET en mode d’amélioration

MOSFET contre JFET :

En comparaison avec JFET, les MOSFET sont plus faciles à fabriquer (jfet vs mosfet).

  • Les JFET s’exécutent uniquement en mode d’épuisement. Le type d’épuisement MOSFET peut être utilisé à la fois en mode d’épuisement et en mode d’amélioration.
  • Les caractéristiques de sortie du JFET sont plus planes que celles du MOSFET. car la résistance de fuite dans le JFET (1 MΩ) est supérieure à celle du MOSFET (50 kΩ)
  • Le courant de drain de la porte JFET est de l’ordre de 10 à 9 A. Pour le MOSFET, le courant de drain sera de 10 à 12 A.
  • La résistance d’entrée du JFET est de l’ordre de 108 Ω. Pour le MOSFET, la résistance d’entrée sera comprise entre 1 010 et 1 015 Ω.
  • En raison de leurs avantages, les MOSFET sont plus utilisés dans les circuits VLSI que les JFET. Étant donné que le MOSFET est sensible aux tensions de surcharge, une attention particulière doit être accordée à l’installation.
  • Le MOSFET a une tension de décalage nulle. Les bornes de source et de fuite peuvent être changées (dispositif dit symétrique). En raison de ces deux caractéristiques, le MOSFET est largement utilisé dans la commutation de signaux analogiques.

Dans le JFET, le champ électrique transversal le long de la jonction réversible PN PN contrôle la conductivité du canal. Dans le MOSFET, le champ électrique transversal induit sur une couche isolante déposée sur le matériau semi-conducteur contrôle la conductivité du canal.

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