Diferencia entre jfet y mosfet
Entendamos la diferencia entre JFET y MOSFET. La diferencia principal es el control de corriente y el control de voltaje en el circuito.
Primero debemos saber cuál es el uso del transistor de efecto de campo (FET) y cuál es el uso de los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
Transistor de efecto de campo (FET):
- El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo semiconductor de tres terminales que tiene muchas similitudes y diferencias con el transistor de unión de dos vías (BJT).
- La principal diferencia entre BJT y FET es que BJT es un dispositivo de control de corriente, mientras que FET es un dispositivo de voltaje controlado.
- El transistor de efecto de campo es un dispositivo en el que el flujo de corriente a través de la región del conductor está controlado por un campo eléctrico. Esto se llama transistor de efecto de campo (FET).
- La tubería actual en el dispositivo es solo de los operadores mayoritarios, por lo que también se conoce como dispositivo unipolar.
- Los FET se pueden clasificar en dos tipos según su construcción. Estos son
- Transistor de efecto de campo de unión (JFET)
Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET) - JFET se ha clasificado en dos tipos, a saber
N – Canal JFET (los electrones son los principales portadores)
P – Canal JFET (los agujeros son los portadores mayoritarios)
Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET)
Los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son la familia de transistores unipolares. Una característica distintiva del MOSFET es la construcción de la puerta. La puerta está completamente aislada del canal. La tensión aplicada a la puerta provocará una carga electrostática. No está permitido pasar corriente por la zona de la puerta del dispositivo. La puerta es simplemente un área del dispositivo cubierto de metal.
Los otros nombres para MOSFET son Transistor de efecto de campo de puerta aislada (IGFET), Óxido metálico de transistor de silicio (MOST). Los MOSFET se clasifican en dos tipos, a saber
- MOSFET en modo de agotamiento
- MOSFET en modo de mejora
MOSFET frente a JFET:
En comparación con JFET, los MOSFET son más fáciles de fabricar (jfet vs mosfet).
- Los JFET solo se ejecutan en modo de agotamiento. El tipo de agotamiento MOSFET se puede utilizar tanto en modo de agotamiento como en modo de mejora.
- Las características de salida del JFET son más planas que las del MOSFET. porque la resistencia de fuga en JFET (1 MΩ) es mayor que la del MOSFET (50 kΩ)
- La corriente de drenaje de la compuerta JFET es del orden 10-9A. Para MOSFET, la corriente de drenaje será de 10 a 12 A.
- La resistencia de entrada del JFET está en el rango de 108Ω. Para MOSFET, la resistencia de entrada estará entre 1010 y 1015 Ω.
- Debido a sus ventajas, los MOSFET se utilizan más en circuitos VLSI que los JFET. Dado que el MOSFET es susceptible a sobrecargas de voltaje, se debe prestar especial atención a la instalación.
- MOSFET tiene voltaje de compensación cero. Los terminales de fuente y de fuga se pueden cambiar (el llamado dispositivo simétrico). Debido a estas dos características, MOSFET se usa ampliamente en la conmutación de señales analógicas.
En el JFET, el campo eléctrico transversal a lo largo de la unión reversible PN PN controla la conductividad del canal. En el MOSFET, el campo eléctrico transversal inducido sobre una capa aislante depositada sobre el material semiconductor controla la conductividad del canal.
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