A principal diferença entre BJT (Transistor de Junção Bipolar) e FET (Transistor de Efeito de Campo) reside em seus princípios fundamentais de operação e construção. Os BJTs controlam o fluxo de corrente através da injeção e difusão de portadores de carga (elétrons e lacunas) entre seus terminais emissor, base e coletor. Eles são classificados em tipos NPN e PNP com base na dopagem de seus materiais semicondutores. Em contraste, os FETs controlam o fluxo de corrente modulando a condutividade entre os terminais de fonte e dreno usando um campo elétrico gerado pela tensão aplicada ao terminal da porta. Esta operação controlada por tensão distingue os FETs dos BJTs, que são dispositivos controlados por corrente.
A principal diferença entre BJT e FET é o seu modo de operação: os BJTs controlam a corrente usando injeção de corrente no terminal base, enquanto os FETs controlam a corrente usando um campo elétrico aplicado ao terminal da porta.
Os BJTs são normalmente mais rápidos que os FETs em aplicações de comutação porque podem atingir densidades de corrente mais altas e velocidades de comutação mais rápidas devido à injeção direta e difusão de portadores de carga entre os terminais. Essa característica torna os BJTs vantajosos em aplicações que exigem comutação rápida e operação em alta frequência, como em circuitos analógicos e certos circuitos digitais.
Um transistor é um termo amplo que abrange tanto BJTs quanto FETs. A principal diferença entre um transistor e um BJT reside especificamente em sua estrutura e modo de operação. Um transistor refere-se a qualquer dispositivo semicondutor capaz de amplificar ou comutar sinais elétricos. Os BJTs, como um tipo de transistor, operam através do controle do fluxo de corrente variando a corrente de base, o que afeta a corrente coletor-emissor. Este mecanismo de controle distingue os BJTs de outros tipos de transistores, como os FETs, que operam através da modulação do fluxo de corrente controlada por tensão.
FET significa Transistor de Efeito de Campo. Refere-se a um tipo de transistor onde o fluxo de corrente entre os terminais fonte e dreno é controlado por um campo elétrico gerado pela tensão aplicada ao terminal da porta. Os FETs incluem vários tipos, como MOSFETs (FETs de óxido metálico-semicondutor) e JFETs (transistores de efeito de campo de junção), cada um com características e aplicações específicas baseadas em sua estrutura e princípios operacionais.