Quelle est la différence entre BJT et FET ?

Différence entre bjt et fet

La principale différence entre BJT et FET est que BJT est un dispositif à contrôle de courant et que FET est un dispositif de contrôle de tension. Ils sont développés à partir de différents matériaux semi-conducteurs, principalement de type P et de type N. Ces transistors sont utilisés dans la conception d’amplificateurs, de commutateurs et d’oscillateurs, etc.

BJT – Transistor à jonction bipolaire

BJT est le transistor à jonction bipolaire. BJT est l’appareil actuellement contrôlé.

Comme le montre la figure, il existe des types de transistors BJT P-N-P et N-P-N. Les symboles de ces transistors sont également décrits sur la figure. Il y a trois terminaux dans un appareil BJT. émetteur, base et collecteur.

• Transconductance gm = ε vs W/d
• Fréquence de coupure fT = gm/(2pCgs)

Caractéristiques du BJT :

• L’impédance d’entrée est faible et l’impédance de sortie est élevée.
• Dispositif bruyant dû à la présence de porteurs minoritaires.
• Il s’agit d’un appareil bipolaire car le courant circule en raison des principaux porteurs et des minorités.
• La stabilité thermique est inférieure en raison du courant de fuite ou du courant de saturation inverse.
• Le dopage dans l’émetteur est le plus élevé et le plus bas est le plus bas.
• La surface du collecteur est la plus haute et le bas est la plus petite.

FET – Transistor à effet de champ

FET est le transistor à effets de champ. FET est le dispositif à tension contrôlée.

La figure décrit les symboles FET pour le canal P et le type de canal N. Il y a trois bornes dans un dispositif FET. source, drain et porte. La source est le terminal par lequel les transporteurs entrent dans le canal. Le drain est le terminal par lequel les transporteurs quittent le canal. La grille est la borne qui module la conductivité du canal en appliquant une tension à cette borne.

Le FET est appelé transistor unipolaire. Dans la tension d’entrée FET, le courant de sortie est contrôlé, ici le courant d’entrée est généralement négligeable. C’est le grand mérite du FET lorsque l’entrée ne peut pas fournir beaucoup de courant.

• Trans-conductance- gm = q Ie/kBT
• Fréquence de coupure – fT = 2Dn/WB2

Caractéristiques du FET

• Il s’agit d’un périphérique d’entrée à haute impédance d’environ 100 MOhm et plus.
• FET n’a pas de tension de décalage lorsqu’il est utilisé comme commutateur, contrairement au BJT.
• Le FET est relativement immunisé contre les radiations, mais le BJT est très sensible.
• Il s’agit d’un moyen de transport majeur.
• FET est moins bruyant que BJT. Il est plus adapté aux étages d’entrée d’amplificateurs de bas niveau.
• Le FET offre une stabilité thermique supérieure à celle du BJT.
• FET est un appareil unipolaire.

Principaux inconvénients du FET :

• FET a un produit de bande passante relativement faible par rapport au BJT.
• FET souffre d’une plus grande sensibilité aux dommages et nécessite donc une manipulation prudente.

Le tableau supérieur mentionne la différence entre les types BJT (Bipolar Transistor Transistor) et Field Effect Transistor (FET).

Différence entre bjt et fet sous forme tabulaire