Diferença entre bjt e fet
A principal diferença entre BJT e FET é que BJT é um dispositivo controlado por corrente e FET é um dispositivo de controle de tensão. Eles são desenvolvidos a partir de diferentes materiais semicondutores, principalmente tipo P e tipo N. Esses transistores são utilizados no projeto de amplificadores, interruptores e osciladores, etc.
BJT – Transistor de Junção Bipolar
BJT é o transistor de junção bipolar. BJT é o dispositivo controlado por corrente.
Conforme mostrado na figura, existem tipos de transistores BJT PNP e NPN. Os símbolos desses transistores também estão descritos na figura. Existem três terminais em um dispositivo BJT. transmissor, base e coletor.
- Transcondutância gm = ε vs W/d
- Frequência de corte fT = gm/(2pCgs)
Características do BJT:
- A impedância de entrada é pequena e a impedância de saída é alta.
- Dispositivo de ruído devido à presença de portadoras minoritárias.
- É um dispositivo bipolar, pois a corrente flui devido a grandes portadoras e minorias.
- A estabilidade térmica é menor devido à corrente de fuga ou corrente de saturação reversa.
- O doping no transmissor é o mais alto e o mais baixo é o mais baixo.
- A superfície do coletor é a mais alta e a inferior é a menor.
FET – Transistor de efeito de campo
FET é o transistor com efeitos de campo. FET é o dispositivo de tensão controlada.
A figura descreve os símbolos FET para o canal P e o canal tipo N. Existem três terminais em um dispositivo FET. fonte, dreno e comporta. A fonte é o terminal através do qual as operadoras entram no canal. Dreno é o terminal por onde as transportadoras saem do canal. A porta é o terminal que modula a condutividade do canal aplicando tensão a este terminal.
FET é chamado de transistor unipolar. No FET a tensão de entrada é controlada pela corrente de saída, aqui a corrente de entrada é geralmente insignificante. Este é o grande mérito do FET quando a entrada não consegue fornecer muita corrente.
- Transcondutância- gm = q Ie/kBT
- Frequência de corte – fT = 2Dn/WB2
Recursos do FET
- É um dispositivo de entrada de alta impedância de cerca de 100 MOhm e superior.
- O FET não tem tensão de deslocamento quando usado como chave, ao contrário do BJT.
- O FET é relativamente imune à radiação, mas o BJT é muito sensível.
- É um importante dispositivo de transporte.
- O FET é menos barulhento que o BJT. É mais adequado para estágios de entrada de amplificador de baixo nível.
- O FET oferece maior estabilidade térmica em comparação ao BJT.
- FET é um dispositivo unipolar.
Principais desvantagens do FET:
- O FET tem um produto de largura de banda relativamente baixa comparado ao BJT.
- O FET sofre de maior sensibilidade a danos e, portanto, requer um manuseio cuidadoso.
A tabela superior menciona a diferença entre os tipos BJT (Transistor Bipolar Transistor) e Field Effect Transistor (FET).
Diferença entre bjt e fet em forma tabular
