La principale différence entre le BJT (Bipolar Junction Transistor) et le FET (Field-Effect Transistor) réside dans leurs principes de fonctionnement fondamentaux et leur construction. Les BJT contrôlent le flux de courant à travers l’injection et la diffusion de porteurs de charge (électrons et trous) entre leurs bornes émetteur, base et collecteur. Ils sont classés en types NPN et PNP en fonction du dopage de leurs matériaux semi-conducteurs. En revanche, les FET contrôlent le flux de courant en modulant la conductivité entre leurs bornes source et drain à l’aide d’un champ électrique généré par la tension appliquée à la borne de grille. Ce fonctionnement contrôlé en tension distingue les FET des BJT, qui sont des dispositifs contrôlés en courant.
La principale différence entre BJT et FET réside dans leur mode de fonctionnement : les BJT contrôlent le courant en utilisant l’injection de courant dans la borne de base, tandis que les FET contrôlent le courant en utilisant un champ électrique appliqué à la borne de porte.
Les BJT sont généralement plus rapides que les FET dans les applications de commutation car ils peuvent atteindre des densités de courant plus élevées et des vitesses de commutation plus rapides grâce à l’injection directe et à la diffusion de porteurs de charge entre les terminaux. Cette caractéristique rend les BJT avantageux dans les applications nécessitant une commutation rapide et un fonctionnement haute fréquence, comme dans les circuits analogiques et certains circuits numériques.
Un transistor est un terme large qui englobe à la fois les BJT et les FET. La principale différence entre un transistor et un BJT réside spécifiquement dans leur structure et leur mode de fonctionnement. Un transistor fait référence à tout dispositif semi-conducteur capable d’amplifier ou de commuter des signaux électriques. Les BJT, en tant que type de transistor, fonctionnent en contrôlant le flux de courant en faisant varier le courant de base, ce qui affecte le courant collecteur-émetteur. Ce mécanisme de contrôle distingue les BJT des autres types de transistors, tels que les FET, qui fonctionnent par modulation du flux de courant contrôlée en tension.
FET signifie Field-Effect Transistor. Il fait référence à un type de transistor dans lequel le flux de courant entre les bornes source et drain est contrôlé par un champ électrique généré par la tension appliquée à la borne de grille. Les FET comprennent différents types tels que les MOSFET (FET métal-oxyde-semiconducteur) et les JFET (transistors à effet de champ à jonction), chacun avec des caractéristiques et des applications spécifiques basées sur leur structure et leurs principes de fonctionnement.