Quels sont les avantages du FET par rapport au transistor ?

Avantages de fet par rapport à bjt

Dans cet article, nous allons découvrir quels sont les avantages et les inconvénients du FET par rapport au transistor.

Avantages de fet

Un avantage du FET est sa résistance élevée de grille au courant principal de l’ordre de 100 MΩ ou plus, garantissant ainsi un degré élevé d’isolation entre le contrôle et le flux.

Étant donné que le bruit du courant de base augmente avec le temps de formation, un FET produit généralement moins de bruit qu’un transistor bipolaire (BJT) et se retrouve donc dans les appareils électroniques sensibles au bruit tels que les tuners et les amplificateurs à faible bruit pour les récepteurs VHF et satellite, principal avantage du fet.

Deuxième avantage du fet, il est relativement insensible aux radiations. Il ne montre aucune tension de compensation au courant de drain nul et constitue donc un excellent hélicoptère de signal.

Il a généralement une meilleure stabilité thermique qu’un BJT. Puisqu’ils sont contrôlés par la porte, une fois la porte fermée ou ouverte, il n’y a pas de consommation d’énergie supplémentaire, comme avec un transistor à jonction bipolaire ou des relais sans verrouillage dans certains états.

Cela permet une commutation à puissance extrêmement faible, ce qui permet une plus grande miniaturisation des circuits car les besoins de dissipation thermique sont réduits par rapport à d’autres types de commutateurs.

Inconvénients du FET

Il a un produit à bande passante relativement faible par rapport à un BJT, la plupart des inconvénients du fet.

Le MOSFET présente l’inconvénient d’être très sensible aux tensions de surcharge, nécessitant ainsi une manipulation particulière lors de l’installation.

La couche isolante fragile du MOSFET entre la grille et le canal le rend vulnérable aux décharges électrostatiques ou à la modification de la tension de seuil lors de la manipulation de tels inconvénients du FET.

Cela ne pose généralement pas de problème une fois que l’appareil a été installé dans un circuit correctement conçu.

Les FET ont souvent une très faible résistance et une résistance élevée. Cependant, les résistances intermédiaires sont importantes et les FET peuvent donc dissiper de grandes quantités d’énergie lors de la commutation.

Ainsi, l’efficacité peut privilégier une commutation rapide, mais cela peut provoquer des transitoires susceptibles d’exciter les inductances de rue et de générer des tensions importantes qui peuvent se coupler à la grille et provoquer une commutation involontaire.

Les circuits FET peuvent donc nécessiter un examen très attentif et impliquer une commutation entre la vitesse de commutation et la dissipation de puissance.

Il existe également un compromis entre la tension nominale et la résistance passante , de sorte que les FET haute tension ont une résistance relativement élevée et donc des pertes de conduction.

Avantages de fet par rapport à bjt sous forme tabulaire


N° SRFETBJT1Appareil unipolaireAppareil bipolaire2Appareil à tension contrôléeDispositif de contrôle de courant3Impédance d’entrée élevéefaible impédance d’entrée4meilleure stabilité thermiquefaible stabilité thermique5vitesse de commutation élevéefaible vitesse de commutation6moins bruyantplus bruyant7facile à fabriquerdifficile à fabriquer sur IC

UTILISATION du FET

Le FET le plus couramment utilisé est le MOSFET. La technologie des processus CMOS (semi-conducteurs métalliques complémentaires) constitue la base des circuits numériques intégrés modernes.

Cette technologie de processus utilise un agencement dans lequel le MOSFET (généralement  mode de modulation ) et le canal à canal N sont connectés en série, de sorte que lorsqu’ils sont activés, l’autre est désactivé.

Dans le FET, les électrons peuvent circuler dans les deux sens à travers le canal lorsqu’ils fonctionnent en mode linéaire. La convention pour nommer le terminal de drain et le terminal source est quelque peu arbitraire car les dispositifs sont construits (mais pas toujours) de manière symétrique de la source au drain.

Cela rend les FET adaptés à la commutation de signaux analogiques entre les chemins (multiplexage). Avec ce concept, par exemple, une plaque de mélange solide peut être construite.

Une utilisation courante du FET est comme un amplificateur. Par exemple, en raison de sa résistance élevée à l’entrée et de sa faible résistance à la sortie, il est efficace comme solution tampon dans la configuration de drainage habituelle.

Les IGBT sont utilisés pour commuter les bobines d’allumage des moteurs à combustion interne, où les capacités de commutation rapide et de blocage de tension sont importantes.

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