Ein Feldeffekttransistor (FET) ist ein Transistortyp, der ein elektrisches Feld verwendet, um die Leitfähigkeit eines Kanals in einem Halbleitermaterial zu steuern. Es funktioniert nach dem Prinzip der Modulation der an einen Gate-Anschluss angelegten Spannung, was wiederum die Leitfähigkeit zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen verändert. Dadurch können FETs als Verstärker oder Schalter in elektronischen Schaltkreisen fungieren und im Vergleich zu anderen Transistortypen wie BJTs eine hohe Eingangsimpedanz und eine niedrige Ausgangsimpedanz bieten.
Der Begriff „FET“ bezieht sich auf eine Kategorie von Transistoren, die durch ihre Funktionsweise gekennzeichnet sind, bei der ein elektrisches Feld (der „Feldeffekt“) zur Steuerung des Stromflusses eingesetzt wird. Dies unterscheidet sie von Bipolar Junction Transistoren (BJTs), die auf der Bewegung von Ladungsträgern (Elektronen und Löchern) durch ein Halbleitermaterial beruhen.
FETs funktionieren, indem sie eine Spannung an den Gate-Anschluss anlegen, die ein elektrisches Feld über einer dünnen Halbleiterschicht (typischerweise Silizium) erzeugt. Dieses elektrische Feld steuert die Leitfähigkeit des Kanals zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen. Abhängig von der Art des FET (z. B. MOSFETs oder JFETs) kann der Kanal an Ladungsträgern verstärkt oder verarmt werden, wodurch der Stromfluss ermöglicht bzw. verhindert wird.
Der Name „FET“ spiegelt das grundlegende Funktionsprinzip dieser Transistoren wider: die Steuerung des Stromflusses durch ein elektrisches Feld. Im Gegensatz zu BJTs, die den Strom über die Injektion von Ladungsträgern steuern, nutzen FETs den Feldeffekt, um eine ähnliche Funktionalität mit unterschiedlichen Leistungsmerkmalen zu erreichen. Diese Namenskonvention unterstreicht den einzigartigen Mechanismus, nach dem FETs im Vergleich zu anderen Transistortypen funktionieren.