Alan Etkili Transistör (FET), yarı iletken bir malzemedeki bir kanalın iletkenliğini kontrol etmek için bir elektrik alanı kullanan bir transistör türüdür. Bir kapı terminaline uygulanan voltajın modüle edilmesi prensibine dayalı olarak çalışır, bu da kaynak ve drenaj terminalleri arasındaki iletkenliği değiştirir. Bu, FET’lerin elektronik devrelerde amplifikatör veya anahtar görevi görmesine olanak tanıyarak, BJT’ler gibi diğer transistör türlerine kıyasla yüksek giriş empedansı ve düşük çıkış empedansı sunar.
“FET” terimi, akım akışını kontrol etmek için bir elektrik alanı (“alan etkisi”) içeren çalışma yöntemleriyle karakterize edilen bir transistör kategorisini ifade eder. Bu onları, yük taşıyıcılarının (elektronlar ve delikler) yarı iletken bir malzeme boyunca hareketine dayanan Bipolar Bağlantı Transistörlerinden (BJT’ler) ayırır.
FET’ler, ince bir yarı iletken katman (tipik olarak silikon) boyunca bir elektrik alanı oluşturan geçit terminaline bir voltaj uygulayarak çalışır. Bu elektrik alanı, kaynak ve drenaj terminalleri arasındaki kanalın iletkenliğini kontrol eder. FET’in türüne (MOSFET’ler veya JFET’ler gibi) bağlı olarak, kanalda yük taşıyıcıları artırılabilir veya boşaltılabilir, böylece sırasıyla akımın akmasına izin verilir veya engellenir.
“FET” adı, bu transistörlerin temel çalışma prensibini yansıtmaktadır: bir elektrik alanı boyunca akım akışının kontrolü. Yük taşıyıcılarının enjeksiyonu yoluyla akımı kontrol eden BJT’lerin aksine FET’ler, farklı performans özellikleriyle benzer işlevsellik elde etmek için alan etkisini kullanır. Bu adlandırma kuralı, FET’lerin diğer transistör türlerine kıyasla çalıştığı benzersiz mekanizmanın altını çizer.