FET’s (Field-Effect Transistors) hebben in bepaalde toepassingen vaak de voorkeur boven BJT’s (Bipolar Junction Transistors) vanwege verschillende belangrijke voordelen. Een belangrijke reden is dat FET’s een hogere ingangsimpedantie hebben vergeleken met BJT’s. Dit betekent dat ze minder stroom onttrekken aan het aandrijfcircuit, wat resulteert in een lager energieverbruik en een lagere warmteafvoer. In toepassingen waar het minimaliseren van vermogensverlies en het maximaliseren van de efficiëntie van cruciaal belang zijn, zoals in elektronica met laag vermogen en op batterijen werkende apparaten, hebben FET’s de voorkeur vanwege hun energie-efficiëntie.
Het gebruik van een FET in plaats van een BJT biedt vooral voordelen bij hoogfrequente toepassingen en digitale circuits. FET’s kunnen sneller in- en uitschakelen dan BJT’s vanwege hun spanningsgestuurde werking en het ontbreken van opslagtijd voor minderheidsdragers. Deze eigenschap maakt FET’s geschikt voor snelle schakeltoepassingen in digitale circuits, waar snelle responstijden en nauwkeurige controle over het schakelen vereist zijn.
FET’s worden over het algemeen als beter beschouwd dan BJT’s in termen van thermische stabiliteit en betrouwbaarheid. Ze zijn minder gevoelig voor thermische runaway vergeleken met BJT’s, wat kan optreden als gevolg van overmatige stroomsterkte en warmteontwikkeling. Dit maakt FET’s robuuster en betrouwbaarder in circuits waar temperatuurvariaties of hoge vermogensdissipatie een probleem vormen.
De voordelen van FET’s zijn onder meer hun hoge ingangsimpedantie, die de belastingseffecten op signaalbronnen vermindert en een efficiënte signaalversterking en -verwerking mogelijk maakt. FET’s vertonen ook lage ruiseigenschappen, waardoor ze geschikt zijn voor toepassingen die nauwkeurige signaalversterking vereisen zonder ongewenste elektrische interferentie te introduceren.
In toepassingen zoals choppercircuits, waar nauwkeurige controle over het schakelen cruciaal is voor het omzetten van gelijkstroom naar wisselstroom of variërende spanningsniveaus, hebben FET’s vaak de voorkeur boven BJT’s. FET’s kunnen snel en efficiënt schakelen dankzij hun spanningsgestuurde werking, waardoor een soepelere en nauwkeurigere modulatie van uitgangssignalen mogelijk is. Deze mogelijkheid maakt FET’s zeer geschikt voor hoogfrequente schakeltoepassingen waarbij het behouden van de signaalintegriteit en het minimaliseren van vervorming prioriteiten zijn.
