El transistor de efecto metálico semiconductor metálico (MOSFET, MOS-FET o MOS FET) es un tipo de transistor de efecto de campo (FET).
Dispone de una compuerta aislada cuyo voltaje determina la conductividad del dispositivo. Esta capacidad de cambiar la conductividad con la cantidad de voltaje aplicado se puede utilizar para amplificar o cambiar las señales electrónicas. Un tipo de transistor semiconductor con aislamiento metálico o MISFET es un término casi sinónimo de MOSFET. Otro sinónimo es IGFET para transistor de efecto de campo aislado.
El principio básico del transistor de efecto de campo fue patentado por primera vez por Julius Edgar Lilienfeld en 1925.
La principal ventaja de un MOSFET es que casi no requiere corriente de entrada para controlar la corriente de carga en comparación con los transistores bipolares. En una mejora del modo «modo MOSFET», el voltaje aplicado al terminal de puerta aumenta la conductividad del dispositivo. En los transistores en «modo de escape», el voltaje de la puerta reduce la conductividad.
«Metal» en el nombre MOSFET ahora suele ser un nombre incorrecto porque el material de la puerta suele ser una capa de polisilicio (silicio policristalino). El «óxido» en el nombre también puede ser un nombre incorrecto, porque se utilizan diferentes materiales dieléctricos para obtener canales fuertes con voltajes aplicados más bajos.
El MOSFET es, con diferencia, el transistor más común en los circuitos digitales porque se pueden incluir cientos de miles o millones de ellos en un chip de memoria o microprocesador. Dado que los MOSFET se pueden fabricar con semiconductores p o n, se pueden utilizar pares complementarios de transistores MOS para crear circuitos de conmutación con bajo consumo de energía en forma de lógica CMOS.
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