Le transistor métal-semi-conducteur à effet métallique (MOSFET, MOS-FET ou MOS FET) est de type transistor à effet de champ (FET).
Il possède une grille isolée dont la tension détermine la conductivité de l’appareil. Cette capacité à modifier la conductivité en fonction de la quantité de tension appliquée peut être utilisée pour amplifier ou commuter les signaux électroniques. Un type de transistor semi-conducteur à isolation métallique ou MISFET est un terme presque synonyme de MOSFET. Un autre synonyme est IGFET pour transistor à effet de champ isolé.
Le principe de base du transistor à effet de champ a été breveté pour la première fois par Julius Edgar Lilienfeld en 1925.
Le principal avantage d’un MOSFET est qu’il ne nécessite pratiquement aucun courant d’entrée pour contrôler le courant de charge par rapport aux transistors bipolaires. Dans une amélioration du mode mode MOSFET , la tension appliquée à la borne de grille augmente la conductivité du dispositif. Dans les transistors en mode échappement , la tension de grille réduit la conductivité.
Métal dans le nom MOSFET est désormais souvent un mauvais nom car le matériau de la grille est souvent une couche de polysilicium (silicium polycristallin). Le terme oxyde dans le nom peut également être un nom erroné, car différents matériaux diélectriques sont utilisés afin d’obtenir des canaux solides avec des tensions appliquées plus faibles.
Le MOSFET est de loin le transistor le plus courant dans les circuits numériques car des centaines de milliers, voire des millions de transistors peuvent être inclus dans une puce mémoire ou un microprocesseur. Étant donné que les MOSFET peuvent être réalisés avec p ou n semi-conducteurs, des paires complémentaires de transistors MOS peuvent être utilisées pour réaliser des circuits de commutation à faible consommation d’énergie sous la forme d’une logique CMOS.
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