Um transistor de junção bipolar (BJT) oferece várias vantagens sobre um MOSFET em certas aplicações. Uma vantagem é a sua capacidade de amplificar a corrente de forma eficaz em baixas tensões, tornando-o adequado para circuitos analógicos onde a amplificação precisa da corrente é crucial. Os BJTs também possuem uma alta capacidade de condução de corrente, o que os torna preferíveis em aplicações que exigem tratamento significativo de corrente sem circuitos de condução complexos.
Os BJTs têm vantagens sobre os MOSFETs, especialmente em cenários onde o desempenho de alta frequência é essencial. Eles normalmente apresentam melhor desempenho em altas frequências em comparação com os MOSFETs, tornando-os adequados para aplicações de radiofrequência (RF) e aplicações de comutação de alta velocidade onde são necessários tempos de resposta rápidos.
As vantagens dos transistores de junção bipolar residem na sua capacidade de amplificar sinais diretamente, sem a necessidade de tensão de porta. Esta capacidade de amplificação inerente simplifica o projeto do circuito em certas aplicações onde é necessária amplificação ou modulação precisa do sinal.
A principal diferença entre os transistores de junção bipolar (BJTs) e os MOSFETs está nos seus princípios de construção e operação. BJTs são dispositivos controlados por corrente onde a corrente flui entre os terminais emissor e coletor quando uma pequena corrente é aplicada ao terminal base. Em contraste, os MOSFETs são dispositivos controlados por tensão onde a corrente flui entre os terminais do dreno e da fonte quando uma tensão é aplicada ao terminal da porta, controlando a condutância do canal.
Os transistores de efeito de campo (FETs), incluindo os MOSFETs, oferecem vantagens sobre os transistores de junção bipolar (BJTs) em vários aspectos. Uma vantagem importante é a capacidade de operar com impedância de entrada muito alta, o que resulta em requisitos mínimos de corrente de entrada e alta eficiência em aplicações de comutação. Essa característica torna os FETs, incluindo os MOSFETs, adequados para dispositivos de baixo consumo de energia e operados por bateria, onde a minimização do consumo de energia é crítica.