¿Cuáles son algunas de las ventajas que tiene un transistor de unión bipolar sobre un MOSFET?

¿Ventajas que tiene un transistor de unión bipolar sobre un MOSFET?

  • La corriente del colector sigue una función exponencial del voltaje base-emisor con mucha precisión y en un amplio rango (puede ser de más de diez órdenes de magnitud), especialmente si la corriente no es demasiado alta.
  • Esta función se puede utilizar para amplificadores logarítmicos y referencias de banda prohibida
  • Por lo tanto, la transconductividad es simplemente Ic / Ut, donde Ut = kB T / e es el voltaje térmico
  • Esta es la transconductividad más alta posible de todos los dispositivos, lo que los hace adecuados para amplificadores de banda ancha
  • Como consecuencia adicional, la relación de corriente de un par diferencial viene dada de manera muy precisa por exp ((V1-V2) / Ut), donde V1 y V2 son los dos voltajes base. Esto se aplica a un amplio rango de frecuencia.
  • Esta función se puede utilizar como divisor de corriente ajustable con precisión.
  • O en multiplicadores de células de Gilbert.
  • A menudo tienen capacitancias más bajas para una corriente nominal determinada, lo que resulta útil con amplificadores de banda ancha
  • Su voltaje y ruido actual son fácilmente predecibles dada la corriente del emisor y la beta. La cifra de ruido es menor que la de los FET para baja impedancia de fuente (pero mucho mayor para alta impedancia).
  • Se encienden con un VBE más bajo que los FET (aunque ahora hay disponibles FET de umbral muy bajo). Esta función se utiliza en el popular circuito de ladrones de Joule

¿En qué se diferencia el concepto de saturación en MOSFET del de BJT?

(1) En BJT, el área de la base se inunda con portadores hasta saturarla. Sin embargo, no hay ninguna región de saturación en el mosfet.

(2) Hay una región óhmica en los Mosfets. Si se aplica una tensión de puerta más alta, el MOSFET se activa en el rango óhmico. Sin embargo, esta región no existe en el BJT.

(3) BJT se activa en la región de saturación y MOSFET se activa en la región óhmica. El área óhmica induce un canal en la zona del cuerpo MOSFET. Luego, la corriente fluye desde el drenaje hasta la fuente.

(4) En BJT, saturación significa que la base está completamente inundada de vigas. Por tanto, la corriente fluye del colector al emisor.

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