Avantages d’un transistor à jonction bipolaire par rapport à un MOSFET ?
- Le courant du collecteur suit très précisément et sur une large plage une fonction exponentielle de la tension base-émetteur (peut dépasser dix ordres de grandeur), surtout si le courant n’est pas trop élevé.
- Cette fonction peut être utilisée pour les amplificateurs logarithmiques et les références de bande interdite
- La transconductivité est donc simplement Ic / Ut, où Ut = kB T / e est la tension thermique
- Il s’agit de la transconductivité la plus élevée possible de tous les appareils, ce qui les rend adaptés aux amplificateurs à large bande
- En outre, le rapport de courant d’une paire différentielle est donné très précisément par exp ((V1-V2) / Ut), où V1 et V2 sont les deux tensions de base. Cela s’applique à une large gamme de fréquences.
- Cette fonction peut être utilisée comme diviseur de courant réglable avec précision.
- Ou dans les multiplicateurs de cellules Gilbert.
- Ils ont souvent des capacités inférieures pour un courant nominal donné, ce qui est utile avec les amplificateurs à large bande
- Leur bruit de tension et de courant est facilement prévisible étant donné le courant de l’émetteur et la version bêta. Le facteur de bruit est inférieur à celui des FET pour une faible impédance de source (mais beaucoup plus élevé pour une haute impédance).
- Ils s’activent à un VBE inférieur à celui des FET (bien que des FET à seuil très bas soient désormais disponibles). Cette fonction est utilisée dans le populaire circuit voleur Joule
En quoi le concept de saturation dans MOSFET est-il différent de celui du BJT ?
(1) Au BJT, la zone de base est inondée de transporteurs de sorte qu’elle devient saturée. Cependant, il n’y a pas de zone de saturation dans le mosfet.
(2) Il existe une région ohmique dans les Mosfets. Si une tension de grille plus élevée est appliquée, le MOSFET s’active dans la plage ohmique. Cependant, cette région n’existe pas dans le BJT.
(3) BJT est activé dans la région de saturation et MOSFET est activé dans la région ohmique. La zone ohmique induit un canal dans la zone du corps du MOSFET. Le courant circule ensuite du drain vers la source.
(4) En BJT, la saturation signifie que la base est complètement inondée de faisceaux. Le courant circule donc du collecteur vers l’émetteur.
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