Um FET (Transistor de Efeito de Campo) é um tipo de transistor que opera com base na tensão aplicada a um terminal de porta, que controla a condutividade entre seus terminais de fonte e dreno. Os FETs são conhecidos por sua alta impedância de entrada, o que os torna adequados para aplicações onde o controle de corrente com tensão de entrada mínima é essencial. Eles vêm em dois tipos principais: MOSFETs (FETs de óxido metálico-semicondutor) e JFETs (FETs de junção), cada um com estruturas e características diferentes.
Os transistores FET são usados em uma ampla gama de aplicações, principalmente para tarefas de comutação e amplificação. Eles são comumente empregados em circuitos eletrônicos onde são necessárias comutação de alta velocidade, baixo consumo de energia e geração mínima de calor. Em circuitos digitais, os MOSFETs são usados como interruptores para controlar o fluxo de corrente com base na tensão aplicada ao terminal da porta. Em circuitos analógicos, os FETs são usados por sua alta impedância de entrada e características de baixo ruído em amplificadores e circuitos de processamento de sinal.
Os transistores de efeito de campo (FETs) operam variando a condutividade entre seus terminais de fonte e dreno com base na tensão aplicada ao terminal da porta. Nos MOSFETs, uma tensão no terminal da porta cria um campo elétrico que controla o fluxo de portadores de carga (elétrons ou lacunas) entre a fonte e o dreno. Nos JFETs, a tensão da porta controla a largura da região de depleção próxima à junção, modulando assim o fluxo de corrente através do dispositivo. Esta operação controlada por tensão distingue os FETs dos BJT (transistores de junção bipolar), que são dispositivos controlados por corrente.
BJT (transistor de junção bipolar) e FET (transistor de efeito de campo) são dois tipos principais de transistores usados em circuitos eletrônicos. Os BJTs são dispositivos controlados por corrente que dependem do fluxo de portadores de elétrons e de buracos entre seus terminais emissor, base e coletor. Eles são normalmente usados em aplicações que requerem amplificação ou comutação de corrente. Os FETs, por outro lado, são dispositivos controlados por tensão que utilizam um campo elétrico para modular o fluxo de portadores de carga entre seus terminais fonte e dreno. Os FETs são preferidos em aplicações onde alta impedância de entrada, consumo mínimo de energia e velocidades de comutação rápidas são essenciais.
Usar um FET em vez de um BJT oferece diversas vantagens dependendo da aplicação. Os FETs geralmente têm impedância de entrada mais alta, o que significa que consomem menos corrente do circuito de acionamento e exibem efeitos de carga mínimos. Esta característica torna os FETs adequados para aplicações que requerem alta sensibilidade de entrada e baixo ruído, como em amplificadores e circuitos de processamento de sinais. Os FETs também tendem a comutar mais rápido que os BJTs e podem operar em frequências mais altas, tornando-os ideais para aplicações de comutação digital e circuitos de alta frequência. Além disso, os FETs possuem uma estrutura mais simples e são menos propensos a fugas térmicas em comparação aos BJTs, contribuindo para sua confiabilidade em diversos projetos eletrônicos.
