W niektórych zastosowaniach często preferuje się tranzystory FET (tranzystory polowe) w porównaniu z BJT (tranzystory bipolarne) ze względu na kilka kluczowych zalet. Jednym z głównych powodów jest to, że tranzystory FET mają wyższą impedancję wejściową w porównaniu do BJT. Oznacza to, że pobierają mniej prądu z obwodu sterującego, co skutkuje zmniejszonym zużyciem energii i rozpraszaniem ciepła. W zastosowaniach, w których minimalizacja strat mocy i maksymalizacja wydajności mają kluczowe znaczenie, np. w elektronice małej mocy i urządzeniach zasilanych bateryjnie, preferowane są tranzystory FET ze względu na ich efektywność energetyczną.
Użycie FET zamiast BJT oferuje korzyści szczególnie w zastosowaniach o wysokiej częstotliwości i obwodach cyfrowych. Tranzystory FET mogą włączać się i wyłączać szybciej niż BJT ze względu na ich działanie sterowane napięciem i brak czasu przechowywania nośników mniejszościowych. Ta cecha sprawia, że tranzystory FET nadają się do zastosowań wymagających szybkiego przełączania w obwodach cyfrowych, gdzie wymagane są krótkie czasy reakcji i precyzyjna kontrola przełączania.
Ogólnie uważa się, że tranzystory FET są lepsze niż BJT pod względem stabilności termicznej i niezawodności. Są mniej podatne na niestabilność termiczną w porównaniu do BJT, która może wystąpić z powodu nadmiernego przepływu prądu i wytwarzania ciepła. Dzięki temu tranzystory FET są bardziej wytrzymałe i niezawodne w obwodach, w których problemem są wahania temperatury lub rozpraszanie dużej mocy.
Do zalet tranzystorów FET należy ich wysoka impedancja wejściowa, która zmniejsza wpływ obciążenia na źródła sygnału i umożliwia wydajne wzmacnianie i przetwarzanie sygnału. Tranzystory FET charakteryzują się również niskim poziomem szumów, dzięki czemu nadają się do zastosowań wymagających dokładnego wzmocnienia sygnału bez wprowadzania niepożądanych zakłóceń elektrycznych.
W zastosowaniach takich jak obwody przerywacza, gdzie precyzyjna kontrola przełączania ma kluczowe znaczenie dla konwersji prądu stałego na prąd przemienny lub zmiany poziomów napięcia, często preferowane są tranzystory FET zamiast BJT. Tranzystory FET mogą przełączać się szybko i wydajnie dzięki sterowanemu napięciem działaniu, co pozwala na płynniejszą i bardziej precyzyjną modulację sygnałów wyjściowych. Dzięki tej możliwości tranzystory FET doskonale nadają się do zastosowań przełączających o wysokiej częstotliwości, gdzie priorytetem jest utrzymanie integralności sygnału i minimalizacja zniekształceń.
