La differenza principale tra un JFET (transistor a effetto di campo a giunzione) e un MOSFET (transistor a effetto di campo a ossido di metallo) risiede nei principi di costruzione e funzionamento.
I JFET sono tipicamente costruiti da un singolo pezzo di materiale semiconduttore, formando un canale tra due terminali (source e drain) con un terzo terminale (gate) che controlla la larghezza di questo canale attraverso una tensione applicata. Funzionano in modalità di esaurimento, il che significa che il canale è normalmente in conduzione quando al gate non viene applicata tensione.
I MOSFET invece hanno il gate isolato dal canale da un sottile strato di ossido (da qui il nome Metal-Oxide-Semiconductor). Possono funzionare in modalità potenziata (normalmente spenti senza tensione di gate) o in modalità di svuotamento (normalmente accesi senza tensione di gate), a seconda del loro design. La tensione di gate controlla la conduttività del canale tra source e drain.
In termini di velocità, i MOSFET offrono generalmente velocità di commutazione più elevate rispetto ai JFET grazie alla loro struttura di gate isolata, che consente una carica/scarica più rapida della capacità di gate.
Per quanto riguarda il termine “FET”, è un termine ampio che comprende sia JFET che MOSFET. Pertanto, sebbene tutti i MOSFET siano FET, non tutti i FET sono MOSFET. JFET e MOSFET differiscono in modo significativo per costruzione, caratteristiche e modalità operative, soddisfacendo requisiti e applicazioni di circuiti diversi nonostante la loro classificazione condivisa come transistor a effetto di campo.