La principale différence entre un JFET (Junction Field-Effect Transistor) et un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) réside dans leurs principes de construction et de fonctionnement.
Les JFET sont généralement construits à partir d’une seule pièce de matériau semi-conducteur, formant un canal entre deux bornes (source et drain) avec une troisième borne (grille) contrôlant la largeur de ce canal via une tension appliquée. Ils fonctionnent en mode d’épuisement, ce qui signifie que le canal est normalement conducteur lorsqu’aucune tension n’est appliquée à la grille.
D’autre part, les MOSFET ont une grille isolée du canal par une fine couche d’oxyde (d’où le nom Metal-Oxide-Semiconductor). Ils peuvent fonctionner en mode d’amélioration (normalement désactivé sans tension de grille) ou en mode d’épuisement (normalement activé sans tension de grille), selon leur conception. La tension de grille contrôle la conductivité du canal entre la source et le drain.
En termes de vitesse, les MOSFET offrent généralement des vitesses de commutation plus rapides que les JFET en raison de leur structure de grille isolée, qui permet une charge/décharge plus rapide de la capacité de grille.
Concernant le terme « FET », il s’agit d’un terme large englobant à la fois les JFET et les MOSFET. Par conséquent, même si tous les MOSFET sont des FET, tous les FET ne sont pas des MOSFET. Les JFET et les MOSFET diffèrent considérablement dans leur construction, leurs caractéristiques et leurs modes de fonctionnement, répondant à différentes exigences et applications de circuits malgré leur classification commune en tant que transistors à effet de champ.