Un transistor de efecto de campo (FET) es un tipo de transistor que utiliza un campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un material semiconductor. Funciona según el principio de modular el voltaje aplicado a un terminal de puerta, lo que a su vez altera la conductividad entre los terminales de fuente y drenaje. Esto permite que los FET actúen como amplificadores o interruptores en circuitos electrónicos, ofreciendo una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida en comparación con otros tipos de transistores como los BJT.
El término «FET» se refiere a una categoría de transistores caracterizados por su método de operación que involucra un campo eléctrico (el «efecto de campo») para controlar el flujo de corriente. Esto los distingue de los transistores de unión bipolar (BJT), que dependen del movimiento de portadores de carga (electrones y huecos) a través de un material semiconductor.
Los FET funcionan aplicando un voltaje al terminal de la puerta, lo que crea un campo eléctrico a través de una delgada capa semiconductora (normalmente silicio). Este campo eléctrico controla la conductividad del canal entre los terminales de fuente y drenaje. Dependiendo del tipo de FET (como MOSFET o JFET), el canal se puede mejorar o agotar de portadores de carga, permitiendo así que la corriente fluya o impidiéndolo, respectivamente.
El nombre «FET» refleja el principio operativo fundamental de estos transistores: el control del flujo de corriente a través de un campo eléctrico. A diferencia de los BJT, que controlan la corriente mediante la inyección de portadores de carga, los FET utilizan el efecto de campo para lograr una funcionalidad similar con características de rendimiento distintas. Esta convención de nomenclatura subraya el mecanismo único mediante el cual operan los FET en comparación con otros tipos de transistores.