Los MOSFET en modo de mejora se prefieren a los MOSFET en modo de agotamiento para fines de conmutación, principalmente debido a su control más simple y sus características de menor consumo de energía. En un MOSFET en modo mejorado, no existe ningún canal entre los terminales de fuente y drenaje sin que se aplique un voltaje de compuerta positivo, lo que significa que bloquea naturalmente el flujo de corriente cuando está apagado. Esta propiedad permite un control preciso de las operaciones de conmutación con un consumo mínimo de energía, ya que el MOSFET solo conduce corriente cuando se activa específicamente mediante un voltaje aplicado al terminal de la puerta. Los MOSFET en modo de agotamiento, por el contrario, tienen un canal conductor de forma predeterminada y requieren un voltaje de fuente de puerta negativo para apagarse, lo que complica su control y aumenta el consumo de energía en espera.
La diferencia entre los MOSFET en modo de mejora y en modo de agotamiento radica principalmente en su estado conductivo predeterminado y sus características de control. Los MOSFET en modo de mejora requieren un voltaje de compuerta positivo para inducir un canal conductor entre los terminales de fuente y drenaje, encendiéndolos efectivamente para el flujo de corriente. Por el contrario, los MOSFET en modo de agotamiento tienen un canal conductor de forma predeterminada y requieren un voltaje de fuente de puerta negativo para agotar o reducir la conductividad del canal, apagándolos. Esta diferencia fundamental en el funcionamiento afecta la forma en que se utilizan y controlan estos tipos de MOSFET en circuitos electrónicos, particularmente en aplicaciones de conmutación.
En términos de qué tipo de MOSFET es mejor, depende de los requisitos específicos de la aplicación. Los MOSFET en modo de mejora generalmente se prefieren para aplicaciones de conmutación donde el bajo consumo de energía, el control preciso y las velocidades de conmutación rápidas son fundamentales. Su capacidad para permanecer apagados sin una aplicación continua de voltaje en la puerta los hace eficientes para aplicaciones que requieren una energía de reserva mínima. Los MOSFET en modo de agotamiento pueden ser ventajosos en ciertas aplicaciones de circuitos analógicos donde un canal conductor por defecto es beneficioso, pero se usan con menos frecuencia en circuitos digitales y de conmutación modernos debido a su mayor consumo de energía en espera y requisitos de control más complejos.
Se prefieren los MOSFET a los FET (transistores de efecto de campo) tradicionales principalmente debido a sus características de rendimiento superiores en términos de velocidad de conmutación, eficiencia energética y capacidades de integración. Los MOSFET ofrecen menor resistencia de encendido (R_DS(on)) y capacitancia de puerta, lo que permite velocidades de conmutación más rápidas y pérdidas de energía reducidas durante las operaciones de conmutación. Además, los MOSFET se pueden fabricar con tamaños más pequeños y mayores capacidades de transporte de corriente en comparación con los FET tradicionales, lo que los hace ideales para diseños de circuitos integrados de alta densidad y aplicaciones de electrónica de potencia donde la eficiencia y la miniaturización son consideraciones clave.
La diferencia entre el modo de agotamiento y el modo de mejora en un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) se relaciona con sus estados conductivos predeterminados y sus características operativas. En los HEMT en modo de agotamiento, existe un canal conductor entre los terminales de fuente y drenaje sin ningún voltaje de compuerta aplicado, similar a los MOSFET en modo de agotamiento. La aplicación de un voltaje puerta-fuente reduce la conductividad de este canal. Por el contrario, los HEMT en modo de mejora requieren un voltaje de compuerta positivo para crear un canal conductor entre los terminales de fuente y drenaje, similar a los MOSFET en modo de mejora. La elección entre los HEMT en modo de agotamiento y en modo de mejora depende de los requisitos de diseño de circuitos específicos, como la amplificación de señal o las aplicaciones de conmutación, donde cualquiera de los estados conductivos predeterminados puede ser ventajoso.