Los FET (transistores de efecto de campo) ofrecen varias ventajas sobre los BJT (transistores de unión bipolar), lo que los hace preferibles en determinadas aplicaciones. Una ventaja importante es su alta impedancia de entrada, lo que significa que extraen muy poca corriente del circuito de control. Esta propiedad reduce los efectos de carga y permite que los FET interactúen de manera más efectiva con fuentes de señal de alta impedancia sin afectar significativamente la integridad de la señal. Por el contrario, los BJT tienen una impedancia de entrada más baja, lo que puede provocar un mayor consumo de corriente y una posible degradación de la señal en circuitos sensibles.
En comparación con los BJT, los FET también son ventajosos en términos de estabilidad térmica y confiabilidad. Muestran menos susceptibilidad a la fuga térmica, donde el calentamiento excesivo provoca un aumento en el flujo de corriente y un calentamiento adicional, lo que potencialmente daña el transistor. Los FET son inherentemente más robustos en el manejo de variaciones de temperatura y disipación de alta potencia, lo que los hace adecuados para aplicaciones que requieren un funcionamiento estable en condiciones ambientales variables.
La decisión de utilizar un FET en lugar de un BJT a menudo depende de los requisitos específicos de la aplicación. Los FET son particularmente ventajosos en circuitos donde las prioridades son una alta impedancia de entrada, un bajo consumo de energía y una mínima generación de calor. Se utilizan comúnmente en amplificadores de bajo ruido, circuitos de alta frecuencia e interruptores digitales donde los tiempos de respuesta rápidos y el funcionamiento eficiente son esenciales.
La principal ventaja de los FET sobre los BJT radica en su alta impedancia de entrada y su funcionamiento controlado por voltaje. Los FET controlan el flujo de corriente en función del voltaje aplicado al terminal de la puerta, mientras que los BJT dependen del control de corriente a través del terminal base. Esta diferencia permite que los FET funcionen con una corriente de entrada mínima y ofrezcan mayores velocidades de conmutación y eficiencia en comparación con los BJT.
La principal diferencia entre FET y BJT radica en sus principios operativos fundamentales y su construcción. Los FET controlan el flujo de corriente mediante un campo eléctrico establecido por el voltaje aplicado al terminal de la puerta, modulando la conductividad entre los terminales de fuente y drenaje. Por el contrario, los BJT controlan el flujo de corriente mediante la inyección y difusión de portadores minoritarios (electrones o huecos) entre los terminales del emisor, la base y el colector. Esta diferencia en el funcionamiento afecta sus características, como la impedancia de entrada, la velocidad y la estabilidad de la temperatura, lo que influye en su idoneidad para diferentes tipos de circuitos y aplicaciones electrónicos.