Vantagens do feto sobre o bjt
Neste post vamos aprender quais são as vantagens e desvantagens do FET em relação ao transistor.
Vantagens do feto
Uma vantagem do FET é a sua alta resistência de porta à corrente principal da ordem de 100 MΩ ou mais, garantindo assim um alto grau de isolamento entre controle e fluxo.
Como o ruído da corrente de base aumentará com o tempo de treinamento, um FET normalmente produz menos ruído do que um transistor bipolar (BJT) e é, portanto, encontrado em eletrônicos sensíveis ao ruído, como sintonizadores e amplificadores de baixo ruído para receptores VHF e satélite, principal vantagem do fet.
Segunda vantagem do feto: é relativamente imune à radiação. Ele não mostra nenhuma tensão de compensação para corrente de drenagem zero e, portanto, é um excelente sinal para helicóptero.
Geralmente tem melhor estabilidade térmica do que um BJT. Como eles são controlados pela porta gate, uma vez que a porta é fechada ou aberta, não há consumo extra de energia, como acontece com um transistor de junção bipolar ou relés sem travamento em alguns estados.
Isto permite comutação de potência extremamente baixa, o que por sua vez permite uma maior miniaturização dos circuitos porque as necessidades de dissipação de calor são reduzidas em comparação com outros tipos de interruptores.
Desvantagens do FET
Ele tem um produto de largura de banda relativamente baixa em comparação com um BJT, com muitas desvantagens do fet.
O MOSFET tem a desvantagem de ser altamente suscetível a tensões de sobrecarga, necessitando, portanto, de manuseio especial durante a instalação.
A frágil camada isolante do MOSFET entre a porta e o canal o torna vulnerável à descarga eletrostática ou à alteração da tensão limite durante o manuseio de tais desvantagens do fet.
Isso geralmente não é um problema depois que o dispositivo é instalado em um circuito projetado adequadamente.
Os FETs geralmente têm resistência muito baixa e alta resistência. No entanto, as resistências intermediárias são significativas e, portanto, os FETs podem dissipar grandes quantidades de energia durante a comutação.
Assim, a eficiência pode valorizar a comutação rápida, mas isso pode causar transientes que podem excitar indutâncias de rua e gerar tensões significativas que podem acoplar-se ao portão e causar comutação não intencional.
Os circuitos FET podem, portanto, exigir uma análise muito cuidadosa e envolver a alternância entre a velocidade de comutação e a dissipação de energia.
Existe também um compromisso entre a tensão nominal e a resistência “ligada”, de modo que os FETs de alta tensão têm uma resistência relativamente alta e, portanto, perdas de condução.
Vantagens do fet sobre o bjt em forma tabular
USO de FET
O FET mais comumente usado é o MOSFET. A tecnologia de processo CMOS (semicondutores metálicos complementares) é a base para os modernos circuitos digitais integrados.
Esta tecnologia de processo usa um arranjo no qual o MOSFET (geralmente ‘modo de modulação’) MOSFET e o canal de canal n são conectados em série, de modo que quando ligado, o outro está desligado.
No FET, os elétrons podem circular em ambas as direções através do canal quando operando no modo linear. A convenção para nomear o terminal de drenagem e o terminal de fonte é um tanto arbitrária porque os dispositivos são construídos (mas nem sempre) simetricamente da fonte ao dreno.
Isto torna os FETs adequados para comutar sinais analógicos entre caminhos (multiplexação). Com este conceito, por exemplo, uma placa de mistura sólida pode ser construída.
Um uso comum do FET é como um amplificador. Por exemplo, devido à alta resistência de entrada e baixa resistência de saída, é eficaz como solução tampão na configuração de drenagem usual.
Os IGBTs são usados para comutar as bobinas de ignição do motor de combustão interna, onde as capacidades de comutação rápida e bloqueio de tensão são importantes.
