El transistor de efecto de campo de puerta de unión (JFET o JUGFET) es el tipo más simple de transistor de efecto de campo. Se trata de dispositivos semiconductores de tres terminales que se pueden utilizar como interruptores, amplificadores o resistencias controladas eléctricamente.
El funcionamiento del JFET se puede comparar con el de una tubería de jardín. El flujo de agua a través de una tubería se puede controlar triturándola para reducir la sección transversal y el flujo de carga eléctrica a través de un JFET se controla forzando el canal portador de corriente. La corriente también depende del campo eléctrico entre la fuente y la descarga (similar a la diferencia de presión en ambos extremos del tubo).
La conducción del canal conductor se realiza utilizando el efecto de campo: se aplica un voltaje entre la puerta y la fuente para invertir la unión pn puerta n-fuente, ampliando así la capa de puente que invade la conducción del canal y limitando su área de sección transversal. La capa de agotamiento se denomina así porque está agotada de operadores de telefonía móvil y, por lo tanto, no es conductora de electricidad a efectos prácticos.
Cuando la capa de drenaje se extiende a lo largo del ancho del canal del conducto, se logra la reducción y se interrumpe la conducción del drenaje a la fuente. El pellizco se produce en una polarización inversa (VGS) particular de la unión puerta-fuente. La tensión de desconexión (Vp) varía considerablemente, incluso entre dispositivos del mismo tipo. Por ejemplo, VGS (apagado) para el dispositivo Temic J202 varía de -0,8 V a -4 V. Los valores típicos oscilan entre -0,3 V y -10 V.
Para apagar un dispositivo de canal n se requiere un voltaje de fuente de puerta negativo (VGS). Por el contrario, para apagar un dispositivo de canal p, se requiere un VGS positivo.
En funcionamiento normal, el campo eléctrico desarrollado por la compuerta bloquea en cierta medida la conducción de la fuente-drenaje. Algunos dispositivos JFET son simétricos con respecto al origen y la descarga.
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