Los transistores NMOS (semiconductor de óxido metálico de canal N) y PMOS (semiconductor de óxido metálico de canal P) son tipos de MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico) con diferentes tipos de dopaje de canal. Los transistores NMOS tienen un canal tipo N (conducción de electrones), mientras que los transistores PMOS tienen un canal tipo P (conducción por orificios). La tecnología CMOS (Semiconductor de óxido metálico complementario) utiliza transistores NMOS y PMOS de forma complementaria para lograr un bajo consumo de energía y una mayor inmunidad al ruido en los circuitos integrados.
La lógica NMOS utiliza únicamente transistores NMOS para implementar circuitos y puertas lógicas. Se basa en el comportamiento de los transistores NMOS para reducir los voltajes de salida hacia tierra (lógica baja). La lógica CMOS, por otro lado, utiliza transistores NMOS y PMOS dispuestos de manera complementaria. Aprovecha los transistores NMOS para reducir los voltajes de salida y los transistores PMOS para aumentar los voltajes de salida hacia el voltaje de suministro (lógica alta), lo que resulta en un menor consumo de energía en comparación con la lógica NMOS.
Nmosfet (MOSFET de canal N) y Pmosfet (MOSFET de canal P) se refieren al tipo de MOSFET basado en el dopaje de la región del canal. Nmosfet tiene un canal tipo N y conduce electrones cuando se aplica un voltaje positivo a la puerta en relación con la fuente. Pmosfet tiene un canal tipo P y realiza agujeros cuando se aplica un voltaje negativo a la puerta en relación con la fuente. Presentan diferentes características eléctricas y se utilizan en diferentes aplicaciones según los requisitos del circuito.
La tecnología BJT (Transistor de unión bipolar) y las tecnologías NMOS y CMOS son tecnologías de transistores fundamentalmente diferentes. BJT utiliza uniones bipolares (uniones PN) para controlar el flujo de corriente a través del dispositivo, mientras que las tecnologías NMOS y CMOS utilizan principios de efecto de campo para controlar la corriente a través de un canal semiconductor. La tecnología BJT es más antigua y normalmente consume más energía en comparación con la tecnología CMOS, que se usa ampliamente en los circuitos integrados modernos debido a su menor consumo de energía y escalabilidad.
CMOS (Semiconductor de óxido metálico complementario) es una tecnología utilizada para implementar circuitos integrados donde se emplean transistores NMOS y PMOS. La tecnología CMOS aprovecha el comportamiento complementario de los transistores NMOS y PMOS para lograr un bajo consumo de energía y una alta inmunidad al ruido. MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es el componente básico de la tecnología CMOS, y se refiere específicamente al tipo de transistor utilizado en los circuitos CMOS.