Los transistores de efecto de campo (FET) se clasifican como dispositivos unipolares en lugar de dispositivos bipolares. Esta distinción surge del mecanismo de conducción de corriente dentro de los FET, que implica principalmente el movimiento de un tipo de portador de carga: ya sea electrones (en los FET de canal N) o huecos (en los FET de canal P). En los FET, el flujo de corriente entre los terminales de fuente y drenaje está controlado por el campo eléctrico generado por el voltaje aplicado al terminal de compuerta en relación con la fuente. Esta conductividad controlada por voltaje hace que los FET sean eficientes para aplicaciones que requieren amplificación de voltaje precisa, conmutación o resistencia variable.
A diferencia de los transistores de unión bipolar (BJT), que son dispositivos bipolares que involucran tanto electrones como huecos en su mecanismo de conducción de corriente, los FET operan basándose en el movimiento predominantemente de un tipo de portador de carga. Este comportamiento unipolar simplifica su diseño y funcionamiento, haciéndolos adecuados para aplicaciones de alta frecuencia y reduciendo la complejidad asociada al control de ambos tipos de portadores de carga simultáneamente.
Un FET no se considera un transistor bipolar. El término «transistor bipolar» se refiere específicamente a los BJT, donde la conducción de corriente implica el movimiento de electrones y huecos a través de las uniones del transistor. Por el contrario, los FET funcionan según el principio de control del efecto de campo sobre los portadores de carga, distinguiéndolos como dispositivos unipolares que ofrecen ventajas en términos de velocidad, eficiencia energética y rendimiento de ruido en los circuitos electrónicos.
Un transistor de unión unipolar no es un término estándar en física o electrónica de semiconductores. Sin embargo, si se hace referencia a los FET, de hecho se consideran dispositivos unipolares debido a que dependen del movimiento de un tipo de portador de carga (electrones o huecos) para la conducción de corriente. Esta característica unipolar es fundamental para su funcionamiento y los distingue de los transistores de unión bipolar (BJT), que implican el movimiento tanto de electrones como de huecos en su mecanismo de conducción de corriente.
Los transistores de efecto de campo de unión (JFET) se clasifican específicamente como dispositivos unipolares. En los JFET, el flujo de corriente entre los terminales de fuente y drenaje está controlado predominantemente por el voltaje aplicado al terminal de compuerta en relación con la fuente. Este comportamiento controlado por voltaje afecta el ancho del canal conductor dentro del material semiconductor, regulando el flujo de corriente de electrones (en JFET de canal N) o de huecos (en JFET de canal P). Esta operación unipolar hace que los JFET sean adecuados para aplicaciones que requieren un control de voltaje preciso y una alta impedancia de entrada, como en amplificadores e interruptores analógicos.
Los JFET no están clasificados como dispositivos bipolares. Los dispositivos bipolares, como los BJT, funcionan según el principio de que tanto los electrones como los huecos contribuyen a la conducción de corriente a través de sus uniones. Por el contrario, los JFET dependen únicamente del movimiento de un tipo de portador de carga (electrones o huecos) controlado por el voltaje de la puerta-fuente. Esta característica unipolar distingue a los JFET de los dispositivos bipolares y subraya sus ventajas únicas en ciertas aplicaciones electrónicas donde la alta impedancia de entrada y el funcionamiento controlado por voltaje son críticos.
