La principal diferencia entre BJT (transistor de unión bipolar) y FET (transistor de efecto de campo) radica en sus principios operativos fundamentales y su construcción. Los BJT controlan el flujo de corriente a través de la inyección y difusión de portadores de carga (electrones y huecos) entre sus terminales emisor, base y colector. Se clasifican en tipos NPN y PNP según el dopaje de sus materiales semiconductores. Por el contrario, los FET controlan el flujo de corriente modulando la conductividad entre sus terminales de fuente y drenaje utilizando un campo eléctrico generado por el voltaje aplicado al terminal de compuerta. Esta operación controlada por voltaje distingue a los FET de los BJT, que son dispositivos controlados por corriente.
La principal diferencia entre BJT y FET es su modo de funcionamiento: los BJT controlan la corriente mediante la inyección de corriente en el terminal base, mientras que los FET controlan la corriente mediante un campo eléctrico aplicado al terminal de la puerta.
Los BJT suelen ser más rápidos que los FET en aplicaciones de conmutación porque pueden lograr densidades de corriente más altas y velocidades de conmutación más rápidas debido a la inyección directa y difusión de portadores de carga entre terminales. Esta característica hace que los BJT sean ventajosos en aplicaciones que requieren conmutación rápida y operación de alta frecuencia, como en circuitos analógicos y ciertos circuitos digitales.
Un transistor es un término amplio que abarca tanto BJT como FET. La principal diferencia entre un transistor y un BJT radica específicamente en su estructura y modo de funcionamiento. Un transistor se refiere a cualquier dispositivo semiconductor capaz de amplificar o conmutar señales eléctricas. Los BJT, como tipo de transistor, funcionan mediante el control del flujo de corriente variando la corriente de base, lo que afecta la corriente colector-emisor. Este mecanismo de control distingue a los BJT de otros tipos de transistores, como los FET, que funcionan mediante modulación del flujo de corriente controlada por voltaje.
FET significa Transistor de efecto de campo. Se refiere a un tipo de transistor donde el flujo de corriente entre los terminales de fuente y drenaje está controlado por un campo eléctrico generado por el voltaje aplicado al terminal de compuerta. Los FET incluyen varios tipos, como MOSFET (FET de semiconductores de óxido metálico) y JFET (transistores de efecto de campo de unión), cada uno con características y aplicaciones específicas basadas en su estructura y principios operativos.