Les JFET (Junction Field-Effect Transistors) sont conçus pour fonctionner en mode polarisation inverse pour des performances optimales. Dans un JFET, le canal entre la source et le drain est contrôlé par la tension appliquée à la borne de grille par rapport à la borne source. Lorsqu’une tension négative (polarisation inverse) est appliquée à la grille par rapport à la source, elle crée un champ électrique qui épuise le canal en porteurs de charge (électrons ou trous), réduisant ainsi la conductivité entre la source et le drain. Cette polarisation inverse permet un contrôle précis du flux de courant à travers le JFET, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une résistance variable ou une amplification contrôlée en tension.
Le collecteur d’un transistor, en particulier dans les transistors à jonction bipolaire (BJT), est généralement polarisé en inverse pour garantir le bon fonctionnement du transistor dans sa région active. Dans un BJT, la jonction collecteur-base est polarisée en inverse pour empêcher un flux de courant excessif du collecteur vers la base et pour maintenir le transistor dans son mode actif, où il peut amplifier le courant ou agir comme un interrupteur. La polarisation inverse du collecteur contribue également à réduire le courant de fuite et à améliorer la stabilité et la fiabilité globales du transistor.
Les JFET ne fonctionnent généralement pas en mode de polarisation directe car leur structure et leur fonctionnement sont optimisés pour les conditions de polarisation inverse. En polarisation directe, la jonction grille-source d’un JFET conduirait le courant, court-circuitant ainsi le mécanisme de commande du transistor. Cela empêcherait le JFET de moduler correctement le flux de courant entre la source et le drain, annulant ainsi sa fonction prévue de résistance ou d’amplificateur contrôlé en tension.
La polarisation inverse des transistors, notamment des JFET et des BJT, est essentielle pour contrôler leur fonctionnement et garantir leur bon fonctionnement dans les circuits électroniques. La polarisation inverse modifie la barrière de potentiel au niveau des jonctions (grille-source dans les JFET ou base-émetteur dans les BJT), affectant le flux des porteurs de charge (électrons ou trous) et régulant ainsi la conductivité ou les capacités d’amplification du transistor. En appliquant une tension de polarisation inverse, les concepteurs peuvent contrôler avec précision le comportement du transistor, garantissant qu’il fonctionne selon des paramètres spécifiés et répond aux exigences de la conception du circuit, que ce soit pour l’amplification, la commutation ou d’autres applications.
