Les FET (Field-Effect Transistors) offrent plusieurs avantages par rapport aux BJT (Bipolar Junction Transistors), ce qui les rend préférables dans certaines applications. Un avantage significatif est leur impédance d’entrée élevée, ce qui signifie qu’ils consomment très peu de courant des circuits de commande. Cette propriété réduit les effets de charge et permet aux FET de s’interfacer plus efficacement avec des sources de signaux à haute impédance sans affecter de manière significative l’intégrité du signal. En revanche, les BJT ont une impédance d’entrée plus faible, ce qui peut entraîner une consommation de courant plus importante et une dégradation potentielle du signal dans les circuits sensibles.
Par rapport aux BJT, les FET sont également avantageux en termes de stabilité thermique et de fiabilité. Ils sont moins sensibles à l’emballement thermique, où un échauffement excessif provoque une augmentation du flux de courant et un échauffement supplémentaire, endommageant potentiellement le transistor. Les FET sont intrinsèquement plus robustes pour gérer une dissipation de puissance élevée et des variations de température, ce qui les rend adaptés aux applications nécessitant un fonctionnement stable dans des conditions environnementales variables.
La décision d’utiliser un FET au lieu d’un BJT dépend souvent des exigences spécifiques de l’application. Les FET sont particulièrement avantageux dans les circuits où une impédance d’entrée élevée, une faible consommation d’énergie et une génération de chaleur minimale sont des priorités. Ils sont couramment utilisés dans les amplificateurs à faible bruit, les circuits haute fréquence et les commutateurs numériques où des temps de réponse rapides et un fonctionnement efficace sont essentiels.
Le principal avantage des FET par rapport aux BJT réside dans leur impédance d’entrée élevée et leur fonctionnement contrôlé en tension. Les FET contrôlent le flux de courant en fonction de la tension appliquée à la borne de grille, tandis que les BJT s’appuient sur le contrôle du courant via la borne de base. Cette différence permet aux FET de fonctionner avec un courant d’entrée minimal et d’offrir des vitesses de commutation et une efficacité plus élevées que les BJT.
La principale différence entre les FET et les BJT réside dans leurs principes de fonctionnement fondamentaux et leur construction. Les FET contrôlent le flux de courant à l’aide d’un champ électrique établi par la tension appliquée à la borne de grille, modulant la conductivité entre les bornes de source et de drain. En revanche, les BJT contrôlent le flux de courant via l’injection et la diffusion de porteurs minoritaires (électrons ou trous) entre les bornes de l’émetteur, de la base et du collecteur. Cette différence de fonctionnement a un impact sur leurs caractéristiques, telles que l’impédance d’entrée, la vitesse et la stabilité de la température, influençant leur adéquation à différents types de circuits électroniques et d’applications.