Le substrat des FET (Field Effect Transistors) et des MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) joue un rôle crucial dans leur fonctionnement et leurs performances. Dans les MOSFET, le substrat est généralement le matériau silicium sur lequel le transistor est fabriqué. Le substrat est dopé à un type spécifique (type n ou type p) et sert de fondement ou de base à la structure du transistor. Il fournit un support mécanique aux composants du transistor et agit également comme une électrode de grille arrière dans les MOSFET.
Dans les MOSFET, le rôle du substrat est principalement de fournir une base à la structure du transistor et de servir d’électrode de grille arrière. Le substrat est généralement dopé pour être du silicium de type n ou de type p, selon que le MOSFET est un NMOS (MOSFET à canal n) ou un PMOS (MOSFET à canal p). Le substrat est électriquement isolé de la région du canal et est généralement connecté à la tension la plus négative du circuit (souvent mise à la terre dans les circuits numériques) pour contrôler la tension de seuil et assurer le bon fonctionnement du transistor.
Le substrat d’un transistor fait référence au matériau sur lequel le transistor est construit. Dans les MOSFET, le substrat est généralement une plaquette de silicium qui a été dopée avec des impuretés pour créer les caractéristiques électriques souhaitées (type n ou type p). Le substrat fournit un support structurel aux composants du transistor et joue également un rôle essentiel dans le comportement électrique du transistor, en particulier dans les MOSFET où il sert d’électrode de grille arrière.
Dans les JFET (Junction Field-Effect Transistors), le substrat joue un rôle similaire à celui des MOSFET, mais avec quelques différences de construction. Les JFET sont généralement construits sur un substrat semi-conducteur (souvent du silicium) avec une région de canal entre deux régions fortement dopées appelées source et drain. Le substrat des JFET aide à soutenir le canal et sert de base à la création des caractéristiques électriques nécessaires au contrôle du flux de courant à travers le dispositif.
Dans les modèles NMOS (MOSFET à canal N) et PMOS (MOSFET à canal P), le substrat fait référence au matériau de silicium sur lequel le transistor est fabriqué. Pour les transistors NMOS, le substrat est généralement du silicium de type p, tandis que pour les transistors PMOS, le substrat est du silicium de type n. Ce dopage du substrat détermine le type de transistor (NMOS ou PMOS) et influence ses caractéristiques électriques, telles que la tension de seuil et le type de conductivité. Le substrat des transistors NMOS et PMOS fournit la base structurelle et les caractéristiques électriques nécessaires au fonctionnement de ces types de MOSFET dans les circuits intégrés et autres dispositifs électroniques.