FET’lerdeki (Alan Etkili Transistörler) ve MOSFET’lerdeki (Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistörler) substrat, bunların çalışması ve performansında çok önemli bir rol oynar. MOSFET’lerde substrat tipik olarak transistörün üretildiği silikon malzemedir. Substrat belirli bir tipe (n-tipi veya p-tipi) katkılıdır ve transistör yapısının temeli veya tabanı olarak hizmet eder. Transistör bileşenleri için mekanik destek sağlar ve aynı zamanda MOSFET’lerde arka kapı elektrotu görevi görür.
MOSFET’lerde alt tabakanın amacı öncelikle transistör yapısı için bir temel sağlamak ve arka kapı elektrodu olarak görev yapmaktır. Substrat, MOSFET’in bir NMOS (n-kanallı MOSFET) veya PMOS (p-kanallı MOSFET) olmasına bağlı olarak tipik olarak n-tipi veya p-tipi silikon olacak şekilde katkılanır. Substrat, kanal bölgesinden elektriksel olarak izole edilmiştir ve eşik voltajını kontrol etmek ve transistörün düzgün çalışmasını sağlamak için genellikle devredeki en negatif voltaja (dijital devrelerde genellikle toprak) bağlanır.
Bir transistörün alt tabakası, transistörün üzerine inşa edildiği malzemeyi ifade eder. MOSFET’lerde alt tabaka tipik olarak istenen elektriksel özellikleri (n-tipi veya p-tipi) oluşturmak için safsızlıklarla katkılanmış bir silikon levhadır. Substrat, transistör bileşenleri için yapısal destek sağlar ve ayrıca transistörün elektriksel davranışında, özellikle de arka kapı elektrodu olarak görev yaptığı MOSFET’lerde önemli bir rol oynar.
JFET’lerde (Kavşak Alan Etkili Transistörler), alt tabaka MOSFET’lerdekine benzer bir rol oynar, ancak yapıda bazı farklılıklar vardır. JFET’ler tipik olarak kaynak ve boşaltma adı verilen iki yoğun katkılı bölge arasında bir kanal bölgesine sahip yarı iletken bir alt tabaka (genellikle silikon) üzerine inşa edilir. JFET’lerdeki alt tabaka, kanalın desteklenmesine yardımcı olur ve cihazdaki akım akışını kontrol etmek için gerekli elektriksel özelliklerin oluşturulmasında bir temel görevi görür.
NMOS’ta (n-kanallı MOSFET’ler) ve PMOS’ta (p-kanallı MOSFET’ler), substrat, transistörün üretildiği silikon malzemeyi ifade eder. NMOS transistörleri için substrat tipik olarak p tipi silikondur, PMOS transistörleri için ise substrat n tipi silikondur. Bu substrat katkısı, transistörün tipini (NMOS veya PMOS) belirler ve eşik voltajı ve iletkenlik tipi gibi elektriksel özelliklerini etkiler. NMOS ve PMOS transistörlerindeki alt tabaka, bu tür MOSFET’lerin entegre devrelerde ve diğer elektronik cihazlarda çalışması için gerekli yapısal temeli ve elektriksel özellikleri sağlar.