Dans ces sujets, nous comprendrons quelle est la différence entre MOSFET et HEMT ?
Définition et utilisation du Mosfet
Le Mosfet (transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique, prononcé maws-feht) est un type spécial de transistor à effet de champ (fet) qui fonctionne en faisant varier électroniquement la largeur du canal le long duquel circule le porteur de charge (trou d’électron ou s). plus le canal est large, meilleures sont les performances de l’appareil. le support de charge insère le canal à sa source, et sort par le drain. la largeur du canal est contrôlée par une tension au niveau d’une électrode appelée grille, qui est physiquement située entre la source et le drain et est isolée du canal par une très fine couche d’oxyde métallique.
Le mosfet peut fonctionner de deux manières. le premier est connu sous le nom de mode d’épuisement. lorsqu’il n’y a pas de tension aux bornes de la grille, le canal affiche sa conductance maximale. à mesure que la tension de grille augmente (soit positive, soit négative, selon que le canal est constitué d’un matériau semi-conducteur de type p ou de type n), la conductivité du canal diminue. la deuxième façon dont le mosfet peut fonctionner est appelée mode supplémentaire. lorsqu’il n’y a pas de tension dans la porte, pas de canaux et que l’appareil ne fonctionne pas. Le canal est produit en appliquant une tension à la grille. plus la tension de grille est élevée, meilleures sont les performances de l’appareil.
Le Mosfet présente certains avantages par rapport à la jonction conventionnelle, ou jfet. étant donné que la grille est isolée de la ligne électrique, il n’y a pas de flux de courant entre la grille et le canal, quelle que soit la tension de grille (tant qu’elle ne devient pas si grande qu’elle provoque des dommages physiques à la couche d’oxyde métallique). ainsi, le MOSFET a une impédance pratique illimitée. cela rend le MOSFET utile pour l’amplificateur de puissance. l’appareil convient également aux applications de commutation à grande vitesse. certains circuits intégrés (ics) contiennent de petits mosfets et sont utilisés dans les ordinateurs.
La couche d’oxyde étant très fine, le MOSFET est susceptible d’être endommagé de manière permanente par une charge électrostatique. même une petite accumulation électrostatique peut détruire les MOSFET de façon permanente. dans les signaux radiofréquences (rf) faibles, les dispositifs MOSFET ne fonctionnent généralement pas aussi bien que les autres types de FET.
Définition et utilisation de Hemt
Les électrons des transistors à haute mobilité (hemt), également connus sous le nom de fet à hétérostructure (hfet) ou fet dopé à modulation (modfet), sont des transistors à effet de champ qui combinent les jonctions entre deux matériaux avec une bande interdite différente (c’est-à-dire l’hétéroïne). Le canal n’est pas une zone dopée (comme c’est courant pour les MOSFET). la combinaison de matériaux couramment utilisés est le gaz et les algues, bien qu’il existe de grandes variations en fonction de l’application du dispositif. les dispositifs qui incorporent plus d’indium présentent généralement de meilleures performances à haute fréquence, tandis que ces dernières années, les monticules de nitrure de gallium ont attiré l’attention en raison de leurs performances de puissance élevée.
comme les autres fets, les hemts sont utilisés dans les circuits intégrés comme interrupteur marche-arrêt numérique. Les Fets peuvent également être utilisés comme amplificateurs pour un grand nombre de courants utilisant de petites tensions comme signaux de commande. ces deux utilisations sont rendues possibles par les caractéristiques uniques de tension du courant fœtal. Les transistors hemt peuvent fonctionner à des fréquences plus élevées que les transistors ordinaires, jusqu’à des fréquences d’ondes millimétriques, et sont utilisés dans des produits à haute fréquence tels que les téléphones portables, les récepteurs de télévision par satellite, les convertisseurs de tension et les équipements radar. ils sont largement utilisés dans les récepteurs satellite, dans les amplificateurs de faible puissance et dans l’industrie de la défense.
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