Het belangrijkste verschil tussen een JFET (Junction Field-Effect Transistor) en een MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ligt in hun constructie- en werkingsprincipes.
JFET’s zijn doorgaans opgebouwd uit een enkel stuk halfgeleidermateriaal en vormen een kanaal tussen twee aansluitingen (source en drain), waarbij een derde aansluiting (gate) de breedte van dit kanaal regelt via een aangelegde spanning. Ze werken in depletiemodus, wat betekent dat het kanaal normaal geleidt als er geen spanning op de poort staat.
Aan de andere kant hebben MOSFET’s een poort die van het kanaal is geïsoleerd door een dunne laag oxide (vandaar de naam Metal-Oxide-Semiconductor). Ze kunnen werken in de verbeteringsmodus (normaal gesproken uit zonder poortspanning) of in depletiemodus (normaal aan zonder poortspanning), afhankelijk van hun ontwerp. De poortspanning regelt de geleidbaarheid van het kanaal tussen de bron en de afvoer.
In termen van snelheid bieden MOSFET’s over het algemeen hogere schakelsnelheden vergeleken met JFET’s vanwege hun geïsoleerde poortstructuur, die een snellere lading/ontlading van de poortcapaciteit mogelijk maakt.
Wat de term “FET” betreft: dit is een brede term die zowel JFET’s als MOSFET’s omvat. Hoewel alle MOSFET’s FET’s zijn, zijn daarom niet alle FET’s MOSFET’s. JFET’s en MOSFET’s verschillen aanzienlijk wat betreft hun constructie, kenmerken en operationele modi, en voldoen aan verschillende circuitvereisten en toepassingen, ondanks hun gedeelde classificatie als veldeffecttransistors.