UJT (Tek Bağlantılı Transistör) ve FET (Alan Etkili Transistör) arasındaki farklar öncelikle yapı ve çalışma prensiplerinde yatmaktadır. UJT, hafif katkılı N-tipi malzemeden bir çubuk ve iki ağır katkılı P-tipi bölgeden oluşan benzersiz bir yapıya sahip, üç terminalli bir yarı iletken cihazdır. Kapısına (yayıcı adı verilen) uygulanan harici bir voltaj tarafından iç direncinin modülasyonuna dayalı olarak çalışır. UJT’ler, karakteristik negatif direnç davranışları nedeniyle öncelikle osilatör devrelerinde ve darbe üreteçlerinde kullanılır.
Öte yandan, FET’ler daha geniş bir transistör kategorisi altında sınıflandırılır ve yarı iletken bir malzemedeki (N tipi veya P tipi) bir kanalın iletkenliğini kontrol etmek için bir elektrik alanı kullanarak çalışır. MOSFET’ler (Metal Oksit-Yarı İletken FET’ler) ve JFET’ler (Kavşak Alan Etkili Transistörler) dahil olmak üzere çeşitli tiplerde gelirler. FET’ler, yüksek giriş empedansı ve düşük giriş akımı gereksinimleriyle bilinir; bu da onları hem analog hem de dijital devrelerdeki anahtarlama ve amplifikasyon uygulamaları için uygun kılar.
UJT ve BJT (İki Kutuplu Bağlantı Transistörü) arasındaki temel farklar temel yapılarından ve çalışma modlarından kaynaklanmaktadır. BJT’ler, temel akımın daha büyük toplayıcı-yayıcı akım akışını kontrol ettiği akım kontrollü cihazlardır. Tipik olarak düşük giriş empedansları ve akım kazançları ile karakterize edilirler. Buna karşılık UJT’ler, osilatör ve zamanlama uygulamaları için optimize edilmiş benzersiz bir yapıya sahip, BJT’lerin akım kontrollü davranışından farklı bir negatif direnç karakteristiğiyle çalışan voltaj kontrollü cihazlardır.
FET’ler ve transistörler arasındaki temel fark, çalışma prensiplerini ve iç yapılarını kapsar. Her ikisi de amplifikasyon ve anahtarlama için kullanılan yarı iletken cihazlar olsa da, transistörler (BJT’ler ve MOSFET’ler dahil) çıkış akımını kontrol etmek için akım akışına güvenir. Buna karşılık, FET’ler, kaynak ve boşaltma terminalleri arasındaki kanalın iletkenliğini modüle eden, kapı terminaline uygulanan voltaja dayalı olarak çalışır. Bu voltaj kontrol mekanizması, FET’lere daha yüksek giriş empedansı verir ve onları voltaj seviyeleri üzerinde hassas kontrol ve düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalar için uygun hale getirir.
JFET (Kavşak Alan Etkili Transistör) ve UJT (Tek Bağlantılı Transistör) arasındaki fark, Wikipedia’da ana hatlarıyla belirtildiği gibi öncelikle yapılarına ve çalışma prensiplerine odaklanır. JFET’ler tipik olarak, kapı terminaline uygulanan bir voltajla kontrol edilen, kaynak ve drenaj terminalleri arasında bir kanala sahip bir yarı iletken malzeme kullanılarak yapılır. Yüksek giriş empedansı sergilerler ve amplifikatörler ve sinyal işleme devreleri gibi düşük gürültü ve yüksek kazancın gerekli olduğu uygulamalarda kullanılırlar. Öte yandan UJT’ler, karakteristik negatif direnç davranışıyla çalışan, verici ve taban terminallerine sahip özel çubuk yapıları ile karakterize edilir. Benzersiz operasyonel özellikleri nedeniyle osilatör devrelerinde ve zamanlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılırlar.
UJT (Tek Bağlantılı Transistör) ve PUT (Programlanabilir Tek Bağlantılı Transistör) arasındaki fark, yapılarında ve uygulamalarında yatmaktadır. UJT’ler, bir verici, taban ve ikinci bir taban terminalinden oluşan özel bir çubuk yapısına sahip üç terminalli cihazlardır. Osilatör ve puls üreteci devrelerinde yararlı olan negatif direnç karakteristiği sergilerler. Programlanabilir UJT’ler olarak da bilinen PUT’lar yapı olarak benzerdir ancak programlanabilir tetikleme ve akım kontrolü için ek özelliklerle tasarlanmıştır. Hassas zamanlama ve tetikleme gerektiren uygulamalarda kullanılırlar ve geleneksel UJT’lere kıyasla devre tasarımında ve işletimde esneklik sunarlar.