Was sind die Unterschiede zwischen UJT und FET?

Unterschiede zwischen UJT und FET.

ujt (Transistor an einem Knotenpunkt): Es handelt sich um einen Transistor mit einem einzigen Knotenpunkt und drei Anschlüssen: einem Sender (e) und zwei Basen (b1 und b2).

UJT Unijunction Transistor

bjt (Bipolar-Junction-Transistor): Dieser Transistortyp besteht aus zwei Übergängen und drei Anschlüssen, nämlich dem Emitter e, der Basis b und dem Kollektor. Es gibt zwei Arten von BJT, i) PNP und ii) NPN.

Darüber hinaus ist BJT ein bipolares Gerät und wird durch den Strom gesteuert, es ist ein unipolares Gerät und wird durch die Spannung gesteuert.

Da nur die Mehrheitstransportunternehmen für den Stromfluss verantwortlich sind. aber in allen Fällen sind die Träger der Mehrheitsminderheit für die aktuelle Strömung verantwortlich.

Ujt ist ein Uni-Junction-Transistor, bei dem es sich wie Bjt um einen Transistor mit zwei Übergängen handelt.

BJT Bijunction Transistor

ujt: Dies ist ein elektronisches Halbleiterbauelement mit drei Anschlüssen und einem einzigen Anschluss, der ausschließlich als Leistungsschalter fungiert.

fet: Es handelt sich um einen Transistor, der ein elektrisches Feld nutzt, um das elektrische Verhalten des Geräts zu steuern.

Unterschied zwischen ujt fet

UJT (UniJunction Transistor) ist ein Transistor mit nur einem Übergang und drei Anschlüssen: einem Emitter (E) und zwei Basen (B1 und B2).

Der Transistortyp BJT (Bipolar Junction Transistor) besteht aus zwei Übergängen und drei Anschlüssen, nämlich Emitter „E“, Basis „B“ und Kollektor „C“.

Struktur:

  • in ujt gibt es nur einen Kanal p, wohingegen fet 2 hat.
  • der Kanal p von ujt ist stärker dotiert als der Kanal p in fet.

Funktional:

  • ujt arbeitet mit direkter Vorspannung, während fet mit umgekehrter Vorspannung arbeitet.
  • ujt hat eine niedrige Eingangsimpedanz, hat aber eine hohe Eingangsimpedanz.

Das Funktionsprinzip von ujt besteht darin, dass Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) in den leitenden Bereich (Kanal) zwischen den Außenanschlüssen injiziert werden und hierfür Strom benötigt wird.

In einem FET-Gerät werden die Ladungsträger nur durch das elektrische Feld der Gate-Elektrode in den Kanal angezogen (oder zurückgedrückt), daher gibt es keinen nennenswerten Eingangsstrom (bestimmte Leckströme, Pikoampere usw.).

Kurz gesagt, Ujt wird mit Strom versorgt, während Fet mit Spannung versorgt wird. Die merkwürdige Tatsache ist, dass (falls es sich bei den FETs nicht um Transistoren mit isoliertem Gate handelt) der interne Aufbau ziemlich ähnlich ist und man mit einer korrekten Vorspannung des Übergangs (Vorwärts- oder Sperrrichtung) das gleiche Gerät in FET verwenden kann mode oder ujt (bis zu einem gewissen Grad, da die Konstruktion des Geräts für den einen oder anderen Modus optimiert wird).

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