O transistor de efeito de campo da porta de junção (JFET ou JUGFET) é o tipo mais simples de transistor de efeito de campo. Estes são dispositivos semicondutores de três terminais que podem ser usados como interruptores controlados eletronicamente, amplificadores ou resistores controlados eletricamente.
A operação JFET pode ser comparada à de um tubo de jardim. O fluxo de água através de um tubo pode ser controlado esmagando-o para reduzir a seção transversal e o fluxo de carga elétrica através de um JFET é controlado forçando o canal condutor de corrente. A corrente também depende do campo elétrico entre a fonte e a descarga (semelhante à diferença de pressão nas duas extremidades do tubo).
A condução do canal condutor é realizada usando o efeito de campo: uma tensão entre a porta e a fonte é aplicada para reverter a junção pn da porta n-fonte, ampliando assim a camada de jumpers invadindo a condução do canal e limitando sua área de seção transversal. A camada de depleção é assim chamada porque está desprovida de portadoras móveis e, portanto, é eletricamente não condutora para fins práticos.
Quando a camada de drenagem se estende ao longo da largura do canal do conduto, a redução é alcançada e a condução dreno-fonte é interrompida. O pinçamento ocorre em uma polarização reversa específica (VGS) da junção porta-fonte. A tensão de desligamento (Vp) varia consideravelmente, mesmo entre dispositivos do mesmo tipo. Por exemplo, VGS (desligado) para o dispositivo Temic J202 varia de -0,8 V a -4 V. Os valores típicos variam de -0,3 V a -10 V.
Para desligar um dispositivo de canal n é necessária uma tensão negativa de porta-fonte (VGS). Por outro lado, para desligar um dispositivo de canal p, é necessário um VGS positivo.
Em operação normal, o campo elétrico desenvolvido pela comporta bloqueia, até certo ponto, a condução da fonte-dreno. Alguns dispositivos JFET são simétricos em relação à origem e à descarga.
