O efeito corporal altera a corrente de dreno em um MOSFET alterando a tensão limite. Quando há uma diferença de tensão entre o corpo (substrato) e a fonte, a tensão limite aumenta. Isso significa que uma tensão porta-fonte (VGS) mais alta é necessária para ligar o MOSFET e permitir que a corrente flua do dreno para a fonte. À medida que a tensão limite aumenta devido ao efeito corporal, a corrente de dreno diminui porque o VGS efetivo (VGS – Vth) é reduzido. Este efeito pode levar a variações no desempenho do MOSFET, especialmente em circuitos analógicos e circuitos integrados onde o controle preciso da corrente é crucial.
A tensão porta-fonte (VGS) afeta a corrente de dreno em um MOSFET, controlando a formação do canal condutor entre a fonte e o dreno. Para um MOSFET de canal n, quando VGS excede a tensão limite (Vth), um canal se forma e permite que a corrente flua. Quanto maior o VGS acima do limite, mais forte será o canal e maior será a corrente de dreno. Na região linear, a corrente de dreno aumenta linearmente com o VGS, enquanto na região de saturação, a corrente de dreno aumenta de forma menos acentuada e é determinada principalmente pelo VGS e pelas características físicas do MOSFET.
Para aumentar a corrente de dreno em um MOSFET, você pode aumentar a tensão porta-fonte (VGS) acima da tensão limite, o que fortalece o canal condutor e permite que mais corrente flua do dreno para a fonte. Outro método é reduzir a resistência nas conexões de fonte ou dreno, o que pode melhorar o fluxo geral de corrente. Além disso, o uso de um MOSFET com tensão limite mais baixa ou transcondutância mais alta também pode resultar em corrente de dreno mais alta para um determinado VGS.
O corpo dos MOSFETs é usado para influenciar a tensão limite e controlar o comportamento do dispositivo. O corpo (ou substrato) pode ser conectado ao terminal da fonte em MOSFETs discretos, minimizando o efeito do corpo. Em circuitos integrados, o corpo é frequentemente conectado a um potencial comum, como terra para MOSFETs de canal n ou uma tensão de alimentação positiva para MOSFETs de canal p. O corpo pode afetar as características do dispositivo, como a tensão limite e as correntes de fuga, e é um fator importante no projeto e otimização de circuitos baseados em MOSFET.
O efeito da temperatura na corrente de drenagem do MOSFET é significativo. À medida que a temperatura aumenta, a mobilidade dos portadores de carga (elétrons no canal n e lacunas nos MOSFETs do canal p) diminui, o que reduz a corrente de dreno. Além disso, a tensão limite de um MOSFET normalmente diminui com o aumento da temperatura, o que pode compensar ligeiramente a redução na mobilidade, facilitando a formação do canal condutor. No entanto, o efeito líquido é geralmente uma diminuição na corrente de dreno em temperaturas mais elevadas devido à redução da mobilidade do portador. As variações de temperatura também podem afetar outros parâmetros, como correntes de fuga e velocidades de comutação, impactando o desempenho geral do MOSFET.