Het lichaamseffect verandert de afvoerstroom in een MOSFET door de drempelspanning te wijzigen. Wanneer er een spanningsverschil is tussen het lichaam (substraat) en de bron, neemt de drempelspanning toe. Dit betekent dat er een hogere gate-to-source-spanning (VGS) nodig is om de MOSFET in te schakelen en stroom van de drain naar de source te laten stromen. Naarmate de drempelspanning toeneemt als gevolg van het body-effect, neemt de drainstroom af omdat de effectieve VGS (VGS – Vth) wordt verminderd. Dit effect kan leiden tot variaties in de prestaties van de MOSFET, vooral in analoge circuits en geïntegreerde circuits waar nauwkeurige controle van de stroom cruciaal is.
De gate-to-source-spanning (VGS) beïnvloedt de drainstroom in een MOSFET door de vorming van het geleidende kanaal tussen de source en drain te regelen. Voor een n-kanaal MOSFET, wanneer VGS de drempelspanning (Vth) overschrijdt, vormt zich een kanaal waardoor stroom kan vloeien. Hoe hoger de VGS boven de drempelwaarde, hoe sterker het kanaal en hoe hoger de afvoerstroom. In het lineaire gebied neemt de afvoerstroom lineair toe met VGS, terwijl in het verzadigingsgebied de afvoerstroom minder sterk toeneemt en voornamelijk wordt bepaald door VGS en de fysieke kenmerken van de MOSFET.
Om de drainstroom in een MOSFET te vergroten, kun je de gate-to-source-spanning (VGS) verhogen tot boven de drempelspanning, waardoor het geleidende kanaal wordt versterkt en er meer stroom van de drain naar de source kan stromen. Een andere methode is het verminderen van de weerstand in de source- of drain-aansluitingen, wat de algehele stroomstroom kan verbeteren. Bovendien kan het gebruik van een MOSFET met een lagere drempelspanning of hogere transconductantie ook resulteren in een hogere afvoerstroom voor een bepaalde VGS.
Het lichaam in MOSFET’s wordt gebruikt om de drempelspanning te beïnvloeden en het gedrag van het apparaat te regelen. Het lichaam (of substraat) kan in discrete MOSFET’s op de bronterminal worden aangesloten, waardoor het lichaamseffect wordt geminimaliseerd. In geïntegreerde schakelingen is het lichaam vaak verbonden met een gemeenschappelijk potentieel, zoals aarde voor n-kanaals MOSFET’s of een positieve voedingsspanning voor p-kanaals MOSFET’s. Het lichaam kan de kenmerken van het apparaat beïnvloeden, zoals de drempelspanning en lekstromen, en is een belangrijke factor bij het ontwerpen en optimaliseren van MOSFET-gebaseerde circuits.
Het effect van de temperatuur op de MOSFET-afvoerstroom is aanzienlijk. Naarmate de temperatuur stijgt, neemt de mobiliteit van ladingsdragers (elektronen in n-kanaal en gaten in p-kanaal MOSFET’s) af, waardoor de afvoerstroom afneemt. Bovendien neemt de drempelspanning van een MOSFET doorgaans af bij toenemende temperatuur, wat de vermindering van de mobiliteit enigszins kan compenseren door het gemakkelijker te maken om het geleidende kanaal te vormen. Het netto-effect is echter meestal een afname van de afvoerstroom bij hogere temperaturen als gevolg van verminderde mobiliteit van de drager. Temperatuurvariaties kunnen ook andere parameters beïnvloeden, zoals lekstromen en schakelsnelheden, waardoor de algehele prestaties van de MOSFET worden beïnvloed.